- SiC功率MOSFET损耗特性的研究
- 随着当今科技的日渐发展,碳化硅功率器件备受人们的关注。以SiC功率MOSFET为例,其低导通电阻、耐高温和高开关频率等特性使之深受高电压大功率开关设备的青睐。SiC功率MOSFET开关损耗的真实估计对于准确预测功率电子器...
- 袁晨
- 关键词：开关损耗界面态输出电容
- 文献传递
- SiO_2/SiC界面陷阱对SiC MOSFET开关损耗的影响被引量：3
- 2017年
- 位于SiO_2/SiC界面处密度较高的陷阱,不仅俘获SiC MOSFET沟道中的载流子,而且对沟道中的载流子形成散射、降低载流子的迁移率,因而严重影响了SiC MOSFET的开关特性。目前商业化的半导体器件仿真软件中迁移率模型是基于Si器件开发,不能体现SiO_2/SiC界面处的陷阱对沟道中载流子的散射作用。通过引入能正确反映界面陷阱对载流子作用的迁移率模型,利用半导体器件仿真软件研究了界面陷阱对SiC MOSFET动态特性的影响。结果表明,随着界面陷阱密度的增加,SiC MOSFET开通过程变慢,开通损耗增加,而关断过程加快,关断损耗减小;但是由于沟道载流子数量的减少、导通电阻的增加,总损耗是随着界面陷阱密度的增加而增加。
- 刘航志周郁明袁晨陈涛
- 关键词：迁移率损耗
