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刘贵鹏
作品数:
38
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供职机构:
兰州大学
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
金属学及工艺
文化科学
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合作作者
王方聪
兰州大学
杨建红
兰州大学
刘子龙
兰州大学
邓林
兰州大学
田永辉
兰州大学
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机构
38篇
兰州大学
作者
38篇
刘贵鹏
6篇
杨建红
6篇
王方聪
4篇
田永辉
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邓林
4篇
刘子龙
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刘肃
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赵婷
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赵国林
1篇
李海蓉
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王鹏
1篇
薛德胜
1篇
张欢
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王旭东
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王永
年份
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2022
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2021
7篇
2020
3篇
2019
2篇
2017
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一种GaN薄膜及其制备方法
本发明涉及一种GaN薄膜及其制备方法。其中GaN薄膜,包括Si衬底和位于Si衬底上图形化的SiO<Sub>2</Sub>掩膜层,所述Si衬底的Si{111}晶面上有Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>缓...
赵桂娟
邢树安
刘贵鹏
汤金金
铜镍金属氧化物异质结纳米结构气体传感器设计与关键技术研究
李海蓉
王鹏
刘贵鹏
赵桂娟
杨建红
张欢
蔡丽娜
樊文浩
王旭东
王永
项目所属科学技术领域:该项目研制的气敏传感器可应用于CO气体、瓦斯气体、煤气、H<sub>2</sub>这S气体、还原性有害有机气体以及酒精等气体检测。项目属于电子信息领域,涉及半导体材料、半导体技术、敏感电子学、信号检...
关键词:
关键词:
气体传感器
报警系统
一种硅衬底上生长半极性(11-22)面氮化镓的方法
本发明涉及一种硅图形化衬底上外延生长高质量半极性(11‑22)面氮化镓的方法。本发明通过改进的高温‑低温氮化镓层生长法,先在图形化硅衬底的(1‑11)面上生长一层氮化铝,然后高温生长一层氮化镓填上图形沟槽,最后再低温生长...
赵桂娟
茆邦耀
邢树安
刘贵鹏
一种区分4H-碳化硅表面的方法
本申请涉及一种区分4H‑碳化硅表面的方法,所述方法首先对需要辨别的4H‑碳化硅(4H‑SiC)样品的两个表面分别标记为A面和B面;然后将4H‑SiC样品进行以KOH为主腐蚀剂的湿法腐蚀过程;再对腐蚀后4H‑SiC样品进行...
赵桂娟
茆邦耀
刘贵鹏
汤金金
吕秀睿
一种基于图像序列的固定物体三维图像重构方法
一种基于图像序列的固定物体三维图像重构方法,对固定物体在不同时刻下拍摄的第一帧图片和第二帧图片;根据二维相机的帧率获得第一帧图片和第二帧图片之间的时间差;获得二维相机的运动速度,结合这两帧之间相机的运动速度、时间和位移,...
王方聪
王之涵
刘贵鹏
一种基于FPGA的浮点乘加器及计算方法
本发明公开一种基于FPGA的浮点乘加器及计算方法。本发明包括数据分配器、浮点乘法器层、浮点加法器阵和累加器。所述计算方法通过延拓乘法器层以及加法器阵来使用更多片内资源提升速度上限,其延拓的过程中乘法器层、加法器阵以及累加...
刘贵鹏
黄国华
赵桂娟
一种基于二硫化铼的场效应管及其制造方法
本发明涉及一种基于二硫化铼的场效应管及其制造方法,包括衬底,所述衬底包括硅衬底和生长在所述硅衬底上的氧化层,所述氧化层上刻蚀有二硫化铼沟道,所述场效应管还包括生长在源漏接触区的漏源电极、覆盖所述二硫化铼沟道的栅氧化层以及...
赵桂娟
黄河源
邢树安
吕秀睿
茆邦耀
刘贵鹏
文献传递
一种制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法
本发明涉及一种制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法,通过湿法腐蚀的方法,在30‑60℃的15wt%‑25wt%KOH溶液中20‑50min腐蚀后,可以在(113)表面的硅衬底上刻蚀出了分布均匀、边界清晰可见的斜刻凹槽,凹槽...
赵桂娟
茆邦耀
邢树安
刘贵鹏
一种硅衬底上生长半极性(11-22)面氮化镓的方法
本发明涉及一种硅图形化衬底上外延生长高质量半极性(11‑22)面氮化镓的方法。本发明通过改进的高温‑低温氮化镓层生长法,先在图形化硅衬底的(1‑11)面上生长一层氮化铝,然后高温生长一层氮化镓填上图形沟槽,最后再低温生长...
赵桂娟
茆邦耀
邢树安
刘贵鹏
一种基于FPGA的模板匹配目标追踪方法及追踪系统
发明涉及一种基于FPGA的模板匹配目标追踪系统,包括依次电连接的视频输入模块、FPGA图像处理模块、串口接收模块及显示模块。该系统基于FPGA的模板匹配目标追踪方法包括如下步骤:视频图像的输入、图像预处理、模板匹配、实时...
刘贵鹏
张铭旭
赵桂娟
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