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喻兰芳

作品数：7 被引量：19H指数：3
供职机构：中北大学电子与计算机科学技术学院电子测试技术国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇压力传感器
  • 3篇力传感器
  • 3篇感器
  • 3篇SIC
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇无线无源
  • 2篇刻蚀
  • 2篇高温压力传感...
  • 2篇4H-SIC
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇电容压力传感...
  • 1篇多路
  • 1篇压强
  • 1篇印刷
  • 1篇印刷方式
  • 1篇射频功率
  • 1篇深刻蚀
  • 1篇碳化硅

机构

  • 7篇中北大学

作者

  • 7篇梁庭
  • 7篇喻兰芳
  • 6篇崔海波
  • 5篇熊继军
  • 3篇李颖
  • 2篇张瑞
  • 2篇林斯佳
  • 2篇王心心
  • 2篇刘雨涛
  • 1篇李赛男

传媒

  • 2篇仪表技术与传...
  • 2篇传感器与微系...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇电子器件

年份

  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
4H-SiC无线无源高温压力传感器设计
2014年
高温压力传感器研制的主要目的是解决高温恶劣环境下的压力测量问题,SiC是制造高温压力传感器的理想材料,结合薄膜技术与陶瓷厚膜技术,提出了一种新型的4H-SiC无线无源电容式高温压力传感器设计方案。应用Ansys有限元分析软件进行仿真,600℃时灵敏度为2.65 MHz/bar,说明传感器在高温下具有较高的灵敏度,对制备过程中的关键工艺——SiC深刻蚀进行了验证,刻蚀深度达到124μm,满足传感器制备要求。
喻兰芳梁庭熊继军崔海波刘雨涛张瑞
关键词：4H-SIC无线无源高温压力传感器
4H-SiC ICP深刻蚀工艺研究被引量：9
2014年
SiC是一种新型的半导体材料,由于化学性质十分稳定,目前还未发现有哪种酸或碱能在室温下对其起腐蚀作用,因此,在SiC的加工工艺中常采用干法刻蚀。采用GSE 200plus刻蚀机对SiC进行刻蚀,研究了刻蚀气体、源功率RF1、射频功率RF2及腔室压强对刻蚀结果的影响,并对产生的结果进行了相关分析。提出了一种SiC ICP深刻蚀方法,对SiC深刻蚀技术具有重要的指导意义。
喻兰芳梁庭熊继军崔海波刘雨涛张瑞
关键词：SIC
玻璃浆料键合气密性研究被引量：1
2015年
研究玻璃浆料真空封装MEMS器件工艺,由于玻璃浆料键合工艺条件控制较为复杂,键合不当易失败漏气。利用光学显微镜、超声显微镜、激光显微镜、电镜等多种显微镜对各阶段玻璃浆料的形貌进行观察,对由印刷方式、预处理条件和键合工艺对键合气密性的影响进行了分析。提出了影响玻璃浆料键合气密性的几个原因,对玻璃浆料键合工艺条件控制有非常重要的指导意义。
喻兰芳梁庭熊继军崔海波王心心王涛龙
关键词：印刷方式键合工艺气密性
MEMS无线无源电容压力传感器结构设计及制备
2013年
摘要：设计了一种无线无源电容压力传感器。传感器采用MEMS工艺由硅-玻璃浆料-硅键合而成，独特的三层结构设计用以实现高温环境下的测量。应用有限元分析软件对传感器结构进行了仿真分析，并详细介绍了其加工工艺；引进了一种新型的非接触无源测量技术，用于检测传感器压敏电容极板间距的变化。测试结果表明，传感器可以实现外界压力信号与谐振频率信号之间的转化，传感器在0～200kPa压力下，谐振频率随压力变化近似成线性关系且谐振频率随压力的增大逐渐减小，灵敏度约为10．6kHz／kPa。
李颖梁庭林斯佳喻兰芳崔海波
关键词：压力传感器MEMS非接触测量谐振频率
基于AVR单片机的多路直流电平检测电路设计被引量：1
2014年
在现代检测技术中,经常需要对智能仪器内部的多路直流电平进行实时检测,从而得知工作是否正常。为此以ATmega16单片机为核心器件,采用内部ADC、加减运算电路以及三参数软件精度校准方法来设计一种测量系统,可以对-10 V^+10 V量程范围内的多路直流电平进行实时检测并用数码管显示。该系统通过proteus仿真以及对两路电平进行实际测量,误差范围≤0.02 V,且体积小、结构简单、工作可靠、响应速度快,可作为实际应用。
李颖梁庭林斯佳喻兰芳崔海波
关键词：ATMEGA16多路
SiC高温压力传感器电容芯片设计与仿真被引量：5
2015年
MEMS压力传感器的研制已相当成熟,但在高温领域却遇到了许多问题,为解决高温环境下压力测量的问题,文中介绍了一种新型Si C高温压力传感器电容芯片的设计方案。应用Ansys有限元分析软件进行热-结构耦合场仿真分析,常温下电容芯片的灵敏度为1.3 p F/bar(1 bar=100 k Pa),300℃、500℃、700℃时灵敏度分别为1.4 p F/bar、1.54 p F/bar、1.74 p F/bar,表明这种结构在高温下仍具有较高的灵敏度,同时对结构进行模态仿真,由模态分析结果知,一阶频率为245 930 Hz,可知该结构具有很高的频响。
李赛男梁庭喻兰芳李颖熊继军
关键词：SIC高温压力传感器灵敏度频响
碳化硅ICP刻蚀速率及表面形貌研究被引量：3
2015年
SiC材料由于其高的禁带宽度（2.3~3.4 eV）,10倍于Si的击穿电压而越来越受到重视,尤其是在高温环境中,是制作高温器件的理想材料。但同时由于SiC的高硬度,化学性质稳定,使得SiC的加工也变的较为困难。刻蚀作为加工SiC的理想手段运用也越来越广泛,文中就此展开研究,详细研究ICP刻蚀过程中各参数对其刻蚀速率及表面形貌的影响,时加工SiC具有一定指导意义、
崔海波梁庭熊继军喻兰芳王心心王涛龙
关键词：碳化硅
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