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闫翔宇

作品数:3 被引量:31H指数:3
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术

主题

  • 3篇复合材料
  • 3篇复合材
  • 2篇乙烯
  • 2篇四氟乙烯
  • 2篇聚四氟乙烯
  • 2篇氟乙烯
  • 2篇SIO2
  • 2篇TIO2
  • 1篇低损耗
  • 1篇填充PTFE
  • 1篇热膨胀
  • 1篇热膨胀性
  • 1篇热膨胀性能
  • 1篇热压
  • 1篇热压烧结
  • 1篇线膨胀系数
  • 1篇马弗炉
  • 1篇介电
  • 1篇介电特性
  • 1篇聚四氟乙烯复...

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇崔毓仁
  • 3篇袁颖
  • 3篇吴开拓
  • 3篇闫翔宇
  • 2篇张树人

传媒

  • 2篇复合材料学报
  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
低损耗ZrTi_2O_6填充PTFE复合基板性能被引量:7
2013年
采用热压成型工艺,制备了一种低损耗ZrTi2O6陶瓷填充聚四氟乙烯(PTFE)的新型微波复合基板材料。采用介质谐振器法研究了ZrTi2O6/PTFE复合材料的微波介电性能(8~12 GHz)。结果表明,ZrTi2O6/PTFE复合材料的相对介电常数(ε r)和介电损耗(tanδ)随着ZrTi2O6陶瓷体积分数(0~46%)的增加而增大,介电常数实验值与Lichtenecker模型预测值最吻合。ZrTi2O6/PTFE复合材料的热膨胀系数和介电常数温度系数随着ZrTi2O6陶瓷体积分数的增加而减小。46%的ZrTi2O6为较优填料比例,ZrTi2O6/PTFE的相对介电常数为7.42,介电损耗为0.0022(10 GHz)。
吴开拓袁颖张树人闫翔宇崔毓仁
关键词:复合材料聚四氟乙烯介电特性基板
SiO_2-TiO_2/聚四氟乙烯复合材料的制备及热膨胀性能被引量:27
2013年
为了使微波基板材料与Cu金属衬底的热膨胀性能匹配,对陶瓷/聚四氟乙烯(PTFE)微波复合基板材料的热膨胀性能进行了研究。采用湿法工艺制备了以SiO2和TiO2为填料的SiO2-TiO2/PTFE复合材料,研究了复合材料密度、填料粒度和填料体积分数对SiO2-TiO2/PTFE复合材料热膨胀性能的影响。结果表明,当SiO2的体积分数由0增至40%(TiO2 :34%~26%)时,SiO2-TiO2/PTFE复合材料的线膨胀系数(CTE)由50.13×10-6 K-1减小至10.03×10-6K-1。陶瓷粉体粒径和复合材料密度减小会导致CTE减小。通过ROM、Turner和Kerner模型计算CTE发现,ROM和Kerner模型与实验数据较相符,而实验值与Turner模型预测值之间的差异随PTFE含量的升高而逐渐增大。
闫翔宇袁颖张树人吴开拓崔毓仁
关键词:复合材料聚四氟乙烯TIO2SIO2线膨胀系数
烧结工艺对SiO_2-TiO_2/PTFE复合材料性能的影响被引量:3
2014年
采用湿法工艺,并通过马弗炉烧结与热压烧结,制备了SiO2与TiO2共同填充的聚四氟乙烯(PTFE)复合材料。系统研究了两种填料不同掺杂比及不同烧结工艺对复合材料密度、显微结构、介电性能和热膨胀性能的影响。结果表明,与马弗炉烧结相比,热压烧结工艺制备的复合材料具有更稳定的密度和较小的吸水率,但介电损耗较高;ROM和Kerner模型能较好地对线膨胀系数进行预测,其理论值与实验值的变化规律一致。对于用2种烧结方法制备的复合材料,通过Lichtenecker对数法则计算所得介电常数与实验值均较吻合。
闫翔宇袁颖吴开拓崔毓仁
关键词:复合材料TIO2SIO2热压烧结
共1页<1>
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