2024年11月20日
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吴志强
作品数:
25
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供职机构:
湖南大学
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
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合作作者
曾云
湖南大学
彭伟
湖南大学
金湘亮
湖南大学
张云
湖南大学
周武
湖南大学
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机构
25篇
湖南大学
作者
25篇
吴志强
21篇
彭伟
21篇
曾云
19篇
金湘亮
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张云
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蒋太交
1篇
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1篇
汪沨
1篇
荣辉桂
1篇
彭友松
1篇
周武
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2023
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2021
4篇
2020
1篇
2019
11篇
2018
2篇
2017
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可控硅静电保护器件
本发明提供一种可控硅静电保护器件,包括衬底、埋氧层、N阱以及P阱,在N阱内设有第一P+注入区、第一多晶硅栅、第二P+注入区以及第四N+注入区,在P阱内设有第一N+注入区、第二多晶硅栅、第二N+注入区以及第四P+注入区,第...
吴铭
陈卓俊
曾云
彭伟
吴志强
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多叉指静电保护器件
本发明提供一种多叉指静电保护器件,包括衬底,衬底上设有深N阱,深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱,第二P阱位于第一P阱和第三P阱的中间,第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区,第一P阱与第二P...
陈卓俊
曾云
彭伟
金湘亮
吴志强
张云
文献传递
静电保护器件
本发明提供一种静电保护器件,包括衬底、在所述衬底内设有深N阱,在深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第一N阱以及第二P阱,第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区以及第二N+注入区,第二P阱内从左到右依次设...
陈卓俊
曾云
彭伟
金湘亮
吴志强
文献传递
LDMOS静电保护器件
本发明提供一种LDMOS静电保护器件,包括衬底,衬底上设有深N阱,深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第三N+注入区、第三P+注入区和第四N+注入区,第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区...
陈卓俊
曾云
彭伟
金湘亮
张云
吴志强
文献传递
静电保护器件
本发明提供一种静电保护器件,包括衬底、在所述衬底内设有深N阱,在深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第一N阱以及第二P阱,第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区以及第二N+注入区,第二P阱内从左到右依次设...
陈卓俊
曾云
彭伟
金湘亮
吴志强
文献传递
一种基于ICMP协议的文件安全传输方法
本发明公开了一种在网络层上进行文件安全传输的方法,能够实现基于ICMP协议的网络层上进行文件发送与接收。传输初始化时通讯双方采用非对称加密算法协商秘钥,协商完毕后采用对称加密算法对信息进行加密,使得传输过程中信息处于加密...
吴志强
荣辉桂
蒋太交
彭友松
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高速低抖动无参考源时钟数据恢复电路设计
随着串并接口(Serializer/Deserializer,Ser Des)技术的快速发展,有线通信设备对于Ser Des传输数据的速率和质量要求越来越高,影响高速Ser Des传输数据质量的因素主要是信道和封装的非理...
吴志强
关键词:
时钟数据恢复
低抖动
静电保护器件
本发明提供一种静电保护器件,包括衬底、在衬底内设有深N阱,在深N阱内设有第一P阱、第二N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第三N+注入区以及第二P阱,第一P阱内设有第一P+注入区以及第一N+注入区...
陈卓俊
曾云
彭伟
金湘亮
张云
吴志强
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可控硅静电保护器件
本发明提供一种可控硅静电保护器件,包括衬底,所述衬底上设有深N阱,所述深N阱内设有P阱和N阱,所述P阱内设有第一N+注入区、第二N+注入区和第一P+注入区,所述N阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区和第三P+注入区;所...
陈卓俊
曾云
彭伟
金湘亮
吴志强
文献传递
静电保护器件
本发明提供一种静电保护器件,包括衬底,在衬底内设有深N阱,在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱,第一N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区,第二N+注入区跨接在第一N阱与第一P阱之...
陈卓俊
曾云
彭伟
金湘亮
张云
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