白云霞
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划北京工业大学博士启动基金北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 大电流密度下欧姆接触退化机理的研究被引量：1
- 2009年
- 对大电流密度下欧姆接触的结构进行了改进,采用只对接触区域老化而其它区域非破坏性的结构特点,保证测量数据的真实有效性。工艺制备中采取多次SiO2铺垫多次光刻技术解决了引线电极断裂的可能。通过施加达到或超过105A/cm2电流密度,利用文中结构测得比接触电阻早期快速失效,且随电流密度增加退化加剧,对样品老化前后进行能谱分析得知,大电流密度下接触层中Al离子发生了扩散从而破坏了良好接触。
- 张跃宗冯士维郭春生张光沉庄四祥苏蓉白云霞吕长志
- 关键词：大电流密度欧姆接触比接触电阻
- 基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性被引量：4
- 2009年
- 基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析。通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法(BLUE)对结果进行数据处理,得到其失效激活能E=0.54 eV,在偏置VDS=7.5 V,IDS=0.8 A,推导出功率VDMOS在室温下工作的寿命特征值为3.67×106h。失效分析发现,栅极累积失效是影响功率VDMOS漏源电流IDS退化的主要失效机理。
- 白云霞郭春生冯士维孟海杰吕长志李志国
- 探测器中扩散结深对光响应度影响的研究被引量：1
- 2008年
- 研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的I-V特性和光响应度。结果表明:扩散结深对器件的I-V特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs吸收层上表面时,光响应度最大值出现在波长1.55μm处;而当结深进入衬底InP层后,光响应度最大值则出现在波长1μm处。另外,在闭管扩散实验中,严格控制温度和扩散时间是控制结深的关键,研究了不同扩散温度和扩散时间下的结深,为器件的制备提供了参考。
- 庄四祥冯士维王承栋白云霞苏蓉孟海杰
- 关键词：探测器光响应度INGAAS/INP结深
