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KF-KCl熔体中电沉积TiB_2镀层(英文)被引量：3: 2006年; 在铝工业中TiB2是一种非常有前途的阴极内衬取代材料。本研究首先通过热力学分析验证了在Ti-B-C体系生成TiB2的可能性,然后在K2TiF6和KBF4作为活性物质的KF-KCl熔体中以石墨为基体通过直流电沉积(CCP)和周期断开电流电沉积(PIC)技术制备了TiB2镀层,并且研究了电流密度和电镀技术对镀层表面平整度、致密度和晶粒尺寸的影响。结果表明,当电流密度为0.8A/cm2时,能够得到厚度均匀且和基体具有良好附着的TiB2镀层;和CCP相比,采用PIC技术制备的TiB2镀层表面平整度和致密度都得到明显改善,并且晶粒也更为细小。XRD分析表明镀层由相对纯净的TiB2组成,并且镀层择优取向均为(001)面,这和二维晶核理论的预测相吻合。; 李军李冰江卢山叶以富董政娥; 关键词：电沉积二硼化钛镀层熔体

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董政娥