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赵彬善

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:浙江工业大学更多>>
发文基金:浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇化学机械抛光
  • 3篇机械抛光
  • 2篇抛光
  • 2篇抛光液
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲磁场
  • 2篇硅片
  • 2篇材料去除率
  • 1篇性能研究
  • 1篇聚电解质

机构

  • 3篇浙江工业大学

作者

  • 3篇赵彬善
  • 2篇许雪峰
  • 1篇游红武
  • 1篇黄水泉
  • 1篇姚伟强
  • 1篇金清波
  • 1篇马国伟

传媒

  • 2篇中国机械工程

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
脉冲磁场辅助磁性复合磨粒化学机械抛光技术及其加工试验研究被引量:2
2014年
提出一种脉冲磁场辅助新型磁性复合磨粒化学机械抛光技术。该技术利用磁性聚合物微球与SiO2磨粒组成的复合磨粒抛光液,在脉冲磁场辅助作用下,实现磨粒尺寸对硬质抛光盘微观形貌依赖性小、磨粒易进入抛光区域、材料去除率较高的抛光。设计了"之"字形的对位式结构电磁铁,模拟计算表明其磁感应强度沿抛光平面分布均匀,磁性微球受到的磁力一致性好。磁性微球在抛光系统中的受力分析表明:磁性微球受磁力作用时有利于复合磨粒从近抛光区进入抛光区,以二体磨损的方式去除加工表面;磁性微球不受磁力作用时,复合磨粒随抛光液的流动而移动,避免大量聚集形成磁链。以表面粗糙度Ra=1.1μm的硬质抛光盘进行硅片抛光试验,施加不同频率和占空比的脉冲磁场前后,硅片的去除率从137 nm/min提高到288 nm/min,频率5 Hz、占空比50%时获得最大值,硅片表面粗糙度由抛光前Ra=405 nm减小到Ra=0.641 nm。
黄亦申赵彬善黄水泉游红武许雪峰
关键词:化学机械抛光脉冲磁场材料去除率硅片
静电层层自组装复合磨粒及抛光液的抛光性能研究被引量:1
2013年
利用静电层层自组装原理,通过PDADMAC在聚合物粒子表面改性和吸附不同层数的SiO2磨粒,制备n-SiO2/BGF复合磨粒及其抛光液。分析了交替吸附PDADMAC和SiO2磨粒的BGF微球表面Zeta电位的变化,利用TEM表征了不同层数的n-SiO2/BGF复合磨粒SiO2磨粒的吸附情况。分析了聚合物表面磨粒的吸附层数、游离磨粒浓度、聚合物粒径对复合磨粒抛光液抛光的影响。抛光实验表明:3-SiO2/BGF复合磨粒抛光液的材料去除率最高,为368.8nm/min;复合磨粒抛光液中的聚合物粒子为1~2μm、游离磨料SiO2的质量分数为5%时,材料去除率取得较大值。经3-SiO2/BGF复合磨粒抛光液抛光后的硅表面,在10μm×10μm范围内,表面粗糙度从0.3μm降至0.9nm,峰谷值小于10nm,表明复合磨粒抛光液对硅片具有良好的抛光效果。
姚伟强马国伟金清波黄亦申赵彬善许雪峰
关键词:化学机械抛光抛光液聚电解质硅片
脉冲磁场辅助磁性复合磨粒化学机械抛光工艺研究
磁性复合磨粒化学机械抛光(Magnetic Composite Abrasive Chemical Mechanical Polishing,MCA-CMP)是一种新型化学机械抛光技术,它采用硬质抛光器在磁场辅助作用下,...
赵彬善
关键词:化学机械抛光脉冲磁场抛光液材料去除率
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共1页<1>
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