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余本芳

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇直流
  • 1篇直流场
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶凝胶
  • 1篇介电
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒尺寸
  • 1篇胶凝
  • 1篇SR
  • 1篇尺寸
  • 1篇BA

机构

  • 1篇三峡大学
  • 1篇武汉大学

作者

  • 1篇赵兴中
  • 1篇胡宗智
  • 1篇孙小华
  • 1篇吴敏
  • 1篇余本芳

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
不同晶粒尺寸Mg掺杂(Ba_(0.6)Sr_(0.4))_(0.925)K_(0.075)TiO_3薄膜的直流场介电性能研究被引量：1
2007年
采用溶胶凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底制备了Mg掺杂(Ba0.6Sr0.4)0.925K0.075TiO3(BSKT)薄膜。X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析测定了物相微结构和薄膜表面形貌,研究了Mg掺杂含量对BSKT晶粒尺寸和直流场介电调谐性能的影响,讨论了直流场介电损耗谱演变的原因。结果表明,Mg掺杂BSKT使薄膜表面粗糙度、晶粒尺寸、介电常量、介电损耗和调谐量都降低;在室温1MHz下,BSKT薄膜有最大的调谐量73.6%;6%(摩尔分数)Mg掺杂BSKT薄膜有最低的介电损耗为0.0088;发现直流场下薄膜的介电损耗谱演变一方面可能与薄膜的晶粒尺寸有关,另一方面也可能与测试温度有关。
孙小华胡宗智吴敏余本芳赵兴中
关键词：溶胶凝胶
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共1页<1>
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