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冯志宏

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：河北半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇铟镓氮
  • 1篇活性剂
  • 1篇铝
  • 1篇AL

机构

  • 1篇河北半导体研...

作者

  • 1篇尹甲运
  • 1篇袁凤坡
  • 1篇刘波
  • 1篇梁栋
  • 1篇冯志宏

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Al在生长InGaN材料中的表面活化效应
2008年
为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂。实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533 arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 nm(轻掺Al)。研究结果表明,Al作为活性剂明显提高了InGaN材料质量,这将对改善LED和LD多量子阱材料和器件质量带来积极影响,目前还没有相关的文献报道。
袁凤坡尹甲运刘波梁栋冯志宏
关键词：氮化镓铟镓氮
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共1页<1>
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