刘文波
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：西北工业大学研究生创业种子基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Cu/Hg_3In_2Te_6欧姆接触形成机制的研究
- 2014年
- 采用电流-电压特性测试和X射线光电子能谱测试对Cu/Hg3In2Te6接触特性及其形成机制进行了研究。研究发现,当所加电压不超过10 V时,Cu/Hg3In2Te6接触的电流-电压特性曲线均呈现出良好的线性关系,表现为欧姆接触特性。经拟合,在1 V、3 V、5 V和10 V电压下的Cu/Hg3In2Te6接触的欧姆特性系数分别为0.99995、0.99981、0.99968和0.99950。当电压增加至12 V及以上时,由于Cu/Hg3In2Te6接触势垒被击穿,导致Cu/Hg3In2Te6欧姆接触被破坏。通过X射线光电子能谱深度剖析,发现界面处的元素存在显著的扩散现象,因而导致界面元素的化学环境发生改变,引起了界面上各元素的结合能发生偏移,其中Cu 2p结合能向高能方向偏移0.15 eV,而Te3d结合能向低能方向偏移0.15 eV。研究表明界面元素互扩散是促进Cu/Hg3In2Te6欧姆接触形成的主要原因。
- 刘文波傅莉李亚鹏王晓珍
- 关键词：欧姆接触X射线光电子能谱
