文阳
- 作品数：30 被引量：80H指数：4
- 供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省科技统筹创新工程计划项目陕西省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 分立GaN HEMT器件动态电阻测量系统设计
- 2025年
- 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频、高功率密度等应用领域得到广泛应用,然而GaN HEMT器件的导通电阻会随着应用工况发生改变(动态电阻现象),导致其在应用中导通损耗不能被准确评估。针对这一问题,本文设计了一种GaN HEMT器件动态电阻测量系统。首先,介绍了动态电阻测试原理,其次,介绍了该测试系统的组成并对各部分设计原理及选型进行了详细的描述。最后,搭建了GaN HEMT器件动态电阻测试系统并对测试系统性能进行了测试。结果表明,该系统可以准确地测试GaN HEMT器件在不同工况下的动态电阻值。
- 文阳石孟洁杨媛张冲
- 关键词：高电子迁移率晶体管动态电阻测量系统
- 一种数字式IGBT并联主动均流方法
- 本发明公开了一种数字式IGBT并联主动均流方法，具体按照以下步骤：步骤1、将两只IGBT的驱动电阻设置为三种不同阻值；步骤2、分别提取两只IGBT开通时的电压值；步骤3、将步骤2的电压值分别输入两个过零比较器中；步骤4、...
- 杨媛文阳
- 低寄生电感高功率密度的功率模块封装结构
- 本发明公开了低寄生电感高功率密度的功率模块封装结构，包括由上向下依次设置的第二铜基板、第三直接覆铜板、第二直接覆铜板、第一直接覆铜板和第一铜基板，第二直接覆铜板一端设置有过孔，过孔中填充有导电材料，第二直接覆铜板上表面设...
- 杨媛马浩浩文阳李学平李强袁蕾
- IGBT键合线寄生电感测量系统及测量方法
- 本发明公开了IGBT键合线寄生电感测量系统，包括微控制器，所述微控制器通信连接有上位机，所述微控制器分别通过第一模拟开关和第二模拟开关连接有峰值检测单元，所述微控制器通过限压单元连接有待测模块，所述微控制器通过模数转换单...
- 杨媛 岳超能 邹圣雷文阳 李文杰 吴倩楠
- SiC MOSFET测试系统设计与开关特性分析
- 2024年
- 以碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为代表的第3代半导体功率器件因其优异的开关特性,在新能源等领域被广泛应用,但面对高速开关耦合寄生参数所产生的负面效应,使得测试系统难以快速、准确评估其开关瞬态等相关参数。首先,根据改进的双脉冲模型设计了一种高精度测试系统,硬件主要包括功率测试板、集成脉冲发生器的控制板及驱动板,软件主要利用Keil编写控制板程序,LabVIEW进行用户界面设计。其次,还探讨了电压和电流测量技术、连接技术和测量数据的处理,并且结合器件数据手册及仿真结果分析实测结果,表明该系统测量误差小,量程大,抗干扰能力强,可信度高,能为优化第3代半导体器件和驱动电路的设计和应用提供有益支持。
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- 关键词：碳化硅测试系统开关特性
- 低数据样本的IGBT寿命预测方法
- 本发明公开了一种低数据样本的IGBT寿命预测方法，通过对选定输入数据进行退化模型拟合，拟合出退化函数，构建状态方程和观测方程。采用实测数据时刻替换预测时数据来完成观测方程的系数调整，利用提出的目标误差函数优化粒子滤波器，...
- 杨媛许文强邹圣雷文阳
- SiCMOSFET门极驱动电压控制电路及其控制方法
- 本发明公开了，SiCMOSFET门极驱动电压控制电路，包括FPGA芯片，FPGA芯片分别连接有门极驱动级、电流检测电路、电压检测电路。本发明还公开了SiCMOSFET的门极驱动电压控制方法，该方法通过本发明第一种技术方案...
- 杨媛文阳
- 基于di/dt检测的SiC MOSFET双重保护电路
- 本发明公开了基于di/dt检测的SiC MOSFET双重保护电路，包括电流采样模块，电流采样模块的输入端分别与寄生电感L<SUB>Ss</SUB>的两端连接，SiC MOSFET的辅助源极接地，电流采样模块的输出端分别与...
- 杨媛王婷婷文阳
- 一种SiCMOSFET模块主动并联均流控制方法
- 本发明公开了一种SiC MOSFET模块主动并联均流控制方法，包括两只SiC MOSFET模块并联，设置四种不同的驱动电压，在SiC MOSFET模块开通关断过程中采用不同驱动电压驱动，获得与SiC MOSFET模块开关...
- 文阳杨媛
- 一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法
- 本发明公开了一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法，建立SiCMOSFET仿真电路模型，对SiCMOSFET仿真电路模型进行双脉冲电路仿真测试，得到仿真双脉冲测试电压电流波形图；根据SiCMOSFET仿真电路...
- 杨媛文阳
