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韦小圆

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：桂林理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金广西壮族自治区科学研究与技术开发计划更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇介电
  • 1篇电性能
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻器
  • 1篇压敏
  • 1篇压敏电阻
  • 1篇压敏电阻器
  • 1篇势垒
  • 1篇势垒高度
  • 1篇介电频谱
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇晶界
  • 1篇晶界特征
  • 1篇TI
  • 1篇CACU3T...
  • 1篇CU掺杂
  • 1篇I-V特征
  • 1篇掺杂
  • 1篇J

机构

  • 2篇桂林理工大学

作者

  • 2篇刘来君
  • 2篇莫兴婵
  • 2篇韦小圆
  • 1篇吴爽爽
  • 1篇朱文凤
  • 1篇郑少英

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Cu掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电性能和晶界特征被引量：3
2013年
采用传统的固相反应工艺制备了Cu掺杂的CaCu3Ti4O12(Cu-CCTO)陶瓷。采用Schottky热电子发射模型研究了其晶界特征。研究了保温时间对Cu-CCTO陶瓷的介电性能和晶界特征的影响。结果表明:保温时间从1 h延长到30 h,Cu-CCTO陶瓷在100 kHz下的介电损耗保持在0.135,相对介电常数由3 600增至20 000以上。随着保温时间的延长,Cu-CCTO陶瓷的I-V非线性系数由1.8增至3.37,但击穿电场强度却由1 500 V/cm降至约700 V/cm。随着保温时间的延长,Cu-CCTO陶瓷的势垒高度和耗尽层宽度均增加。
莫兴婵韦小圆韦成峰郑少英覃远东刘来君
关键词：CU掺杂势垒高度介电频谱
CaCu_(2.7)Ti_4O_(12)介电性能和J-E特征
2013年
采用传统的固相反应法制备了Cu欠量的CaCu3Ti4O12(CaCu2.7Ti4O12)陶瓷,研究了不同烧结时间对CaCu2.7Ti4O12相结构、显微形貌、介电性能和J-E非线性特征的影响。结果表明,延长保温时间降低了CaCu2.7-Ti4O12陶瓷的中低频介电损耗和击穿场强并且显著提高了其介电常数。采用肖特基热电子发射模型对其非线性特征和电学性能的变化机理进行了分析,认为耗尽层宽度是影响电学性能的主要因素。保温30h的CaCu2.7Ti4O12陶瓷有望作为低压压敏电阻应用于半导体电路中。
吴爽爽莫兴婵韦成峰韦小圆朱文凤覃远东刘来君
关键词：压敏电阻器
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