于瑶瑶
- 作品数：2 被引量：6H指数：2
- 供职机构：华侨大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 利用CsN_3n型掺杂电子传输层改善OLED器件性能的研究被引量：2
- 2016年
- 为了能够有效地提高电子的注入和传输能力,改善有机电致发光器件的性能,本文利用CsN_3作为n型掺杂剂,对有机电子传输材料Bphen进行n型电学掺杂,制备了结构为ITO/MoO_3(2nm)/NPB(50nm)/Alq_3(30nm)/Bphen(15nm)/Bphen∶CsN_3(15nm,x%,x=10,15,20)/Al(100nm)的器件。实验结果表明,CsN_3是一种有效的n型掺杂剂,以掺杂层Bphen∶CsN_3作为电子传输层,可以有效地降低电子的注入势垒,改善器件的电子注入和传输能力,从而降低器件的开启电压,同时提高了器件的亮度和发光效率。在掺杂浓度为10%时器件的性能最优,开启电压仅为2.3V,在7.2V的驱动电压下,达到最大亮度29 060cd/m^2,是非掺杂器件的2.5倍以上。当驱动电压为6.6V时,达到最大电流效率3.27cd/A。而当掺杂浓度进一步提高时,由于Cs扩散严重,发光区形成淬灭中心,造成器件的效率下降。
- 于瑶瑶陈星明金玉吴志军陈燕
- 关键词：N型掺杂有机电致发光器件电流效率
- 高效率N掺杂有机电致发光器件的研制被引量：4
- 2018年
- 为了改善有机电致发光器件的性能,利用Cs N_3作为N掺杂剂,以B3PYPPM为电子传输材料,制备了基于绿色磷光材料Ir(ppy)_3的高效率有机电致发光器件。针对不同N掺杂浓度和掺杂厚度的器件进行研究,最终得到最佳N掺杂器件B,器件结构为ITO/HAT-CN(5 nm)/TAPC(70 nm)/TCTA∶Ir(ppy)_3(15%,20nm)/B3PYPPM(17 nm)/B3PYPPM∶Cs N_3(10%,63 nm)/Al。实验结果表明,浓度与厚度适当的N掺杂器件能有效提高器件的电流效率和功率效率。Cs N_3作为一种高效的N掺杂剂,与电子传输材料B3PYPPM掺杂后,有效地降低了电子的注入势垒,增加了电子注入,提高了电子迁移率,改善了电子的注入和传输能力,使载流子更加平衡,从而降低了器件的开启电压和驱动电压,有效地提高了电流效率和功率效率。最佳N掺杂器件B开启电压仅为2.1 V,最大电流效率和功率效率分别为67.0 cd/A、91.1 lm/W。值得注意的是,在1 000 cd/m^2亮度下,最佳N掺杂器件B的功率效率仍能达到80.1 lm/W。
- 于瑶瑶喻叶林雯嫣吴志军林薇
- 关键词：电流效率功率效率
