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刘洁青

作品数:3 被引量:1H指数:1
供职机构:云南师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇光学
  • 2篇结构特性
  • 2篇光学特性
  • 2篇ZNSE
  • 1篇带隙
  • 1篇氢化非晶硅
  • 1篇硒化锌
  • 1篇结构和光学特...
  • 1篇缓冲层
  • 1篇激活能
  • 1篇光学带隙
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶硅
  • 1篇PECVD
  • 1篇P型
  • 1篇

机构

  • 3篇云南师范大学

作者

  • 3篇刘洁青
  • 2篇刘小娇
  • 1篇徐锐
  • 1篇姚朝晖
  • 1篇赵兴玲
  • 1篇廖华
  • 1篇胡志华
  • 1篇刘剑虹
  • 1篇施光辉
  • 1篇李航

传媒

  • 1篇云南师范大学...
  • 1篇太阳能学报

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
PECVD制备p型氢化硅氧薄膜及其光电性能研究
2016年
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,在高气压、高氢稀释比和高功率密度条件下,以硅烷和二氧化碳为反应气体,硼烷为掺杂气体,在玻璃衬底上沉积了一系列的p型氢化非晶硅氧(p-SiOx:H)薄膜.利用Raman谱、XRD衍射谱、UV-VIS透射谱以及绝缘电阻测试仪等手段,分析了不同二氧化碳气体流量比对氢化硅氧薄膜的微结构和光电特性的影响.研究结果表明:薄膜为典型的非晶相;随着掺入气体CO2流量增加,薄膜沉积速率RG上升、光学带隙Eg及激活能Ea增大.
刘小娇施光辉殷俊传李航刘洁青廖华胡志华
关键词:光学带隙激活能PECVD
化学浴沉积ZnSe薄膜性能的研究
ZnSe是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,近来年作为薄膜太阳电池缓冲层在碲化镉基、铜铟镓硒基、铜锌锡硫基薄膜太阳电池器件结构中广泛应用。CBD是缓冲层材料的主要制备方法。本文用CBD技术在玻璃衬底上制备了ZnSe薄膜...
刘洁青
关键词:ZNSE光学特性结构特性
文献传递
化学浴沉积ZnSe薄膜材料的结构和光学特性被引量:1
2017年
采用化学浴沉积(CBD)制备不同膜厚的Zn Se薄膜,用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析薄膜结构,结果显示薄膜为纳米晶立方相闪锌矿结构,平均晶粒尺寸约为200 nm,结构致密,(111)晶面择优取向。使用分光光度计测得薄膜透射谱与反射谱,计算和分析材料在可见光区域的吸收系数、消光系数、折射率、光学能隙。结果表明,薄膜透过率、反射率均随膜厚的增加而降低,薄膜在本征吸收区域吸收系数很大,且随波长的减小而增大。膜厚为150、400、630 nm材料对应的光学能隙值分别为3.16、3.14、3.07 e V。
刘洁青姚朝晖徐锐刘剑虹赵兴玲刘小娇
关键词:缓冲层硒化锌结构特性光学特性
共1页<1>
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