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许智豪

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：合肥工业大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇探测器
  • 7篇光探测
  • 7篇光探测器
  • 5篇纳米
  • 3篇电子束蒸发
  • 3篇异质结
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 2篇短沟道
  • 2篇掩模
  • 2篇掩模板
  • 2篇竖直
  • 2篇数量级
  • 2篇六次甲基四胺
  • 2篇纳米棒
  • 2篇纳米棒阵列
  • 2篇纳米晶
  • 2篇纳米晶薄膜
  • 2篇甲基
  • 2篇沟道

机构

  • 8篇合肥工业大学

作者

  • 8篇许智豪
  • 7篇王敏
  • 7篇吴从军
  • 7篇马杨
  • 3篇黄帆

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种可以识别探测波长的智能薄膜光探测器的构筑方法
本发明公开了一种可以识别探测波长的智能薄膜光探测器的构筑方法，包括以下步骤：(1)先在SiO<Sub>2</Sub>/Si基底上蒸镀CdS，然后在CdS薄膜上蒸镀ZnS；（2）在铜箔上生长出石墨烯，在生长有石墨烯的铜片表...
王敏贾飞翔黄帆许智豪蔡曹元吴从军马杨
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一种大面积非层状结构NiSe纳米薄膜的制备方法
本发明公开了一种大面积非层状结构NiSe纳米薄膜的制备方法，其包括NiSe纳米薄膜的制备、NiSe纳米薄膜的转移、NiSe纳米薄膜光探测器的构筑等步骤。本发明通过固相反应法生长得到的非层状结构的NiSe纳米薄膜质量好，晶...
王敏蔡曹元马杨黄帆贾飞翔许智豪吴从军
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一种短沟道半导体/石墨烯异质结光探测器的构筑方法
本发明公开了一种短沟道半导体/石墨烯异质结光探测器的构筑方法，首先，将平均直径为100纳米的ZnS纳米线以接近90°的角度转移到石墨烯条带上，构建由石墨烯条带与单根ZnS纳米线交叉的结构；之后，使用光刻技术，在与单根Zn...
王敏许智豪吴从军蔡曹元马杨
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一种基于ZnO竖直纳米棒阵列的光探测器的制备方法及其用途
本发明公开了一种基于ZnO竖直纳米棒阵列的光探测器的制备方法及其用途，其在含有氧化硅层的硅片基底上用电子束蒸发沉积图形化ZnS薄膜，然后，将图形化ZnS薄膜在空气中500‑510 ℃氧化2 ‑2.5h，使其变成图形化的Z...
王敏马杨许智豪吴从军徐志勇杨金华贾良鹏
一种大面积非层状结构NiSe纳米薄膜的制备方法
本发明公开了一种大面积非层状结构NiSe纳米薄膜的制备方法，其包括 NiSe纳米薄膜的制备、NiSe纳米薄膜的转移、NiSe纳米薄膜光探测器的构筑等步骤。本发明通过固相反应法生长得到的非层状结构的NiSe纳米薄膜质量好，...
王敏蔡曹元马杨黄帆贾飞翔许智豪吴从军
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短沟道硒化锌薄膜/石墨烯异质结光探测研究
近几年，光探测器在国内外引起了广泛关注。相对于一维纳米结构的器件来说，基于二维薄膜结构的光探测器在性能上具有更好的稳定性。但是，薄膜中纳米晶粒的晶界对载流子具有散射作用，使得光探测器性能大打折扣。将拥有超高载流子迁移率的...
许智豪
关键词：光探测器
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一种基于ZnSe薄膜/石墨烯异质结的大面积柔性图像传感器的制备方法
本发明公开了一种基于ZnSe薄膜/石墨烯异质结的大面积柔性图像传感器的制备方法，石墨烯的生长和转移后，利用掩膜板，在石墨烯/PET基底上沉积ZnSe微米带阵列，然后，通过掩模板使用电子束蒸发的方式在ZnSe/石墨烯异质结...
王敏吴从军马杨许智豪徐志勇杨金华贾良鹏
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一种基于ZnO竖直纳米棒阵列的光探测器的制备方法及其用途
本发明公开了一种基于ZnO竖直纳米棒阵列的光探测器的制备方法及其用途，其在含有氧化硅层的硅片基底上用电子束蒸发沉积图形化ZnS薄膜，然后，将图形化ZnS薄膜在空气中500‑510℃氧化2‑2.5h，使其变成图形化的ZnO...
王敏马杨许智豪吴从军徐志勇杨金华贾良鹏
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