阳明明
- 作品数：4 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- AlN:Er薄膜在不同退火温度下应力诱导的微观结构演变被引量：3
- 2016年
- 以透射电镜中的弱束衍衬成像和高分辨相位衬度成像为主要表征手段,辅以X射线衍射、拉曼光谱等测试方法,对Al N:Er样品在退火过程中的微观结构演变过程进行了深入分析。在透射电镜观察下,Er离子注入的Al N样品在退火前存在三个区域:区域Ⅰ为自表面以下约30 nm深度;区域Ⅱ为区域I以下约50 nm深度;区域Ⅲ为区域Ⅱ以下的部分,其中区域Ⅱ为损伤最为严重的区域。在较低的温度(如1025℃时)退火后,区域Ⅰ消失;但1200℃退火后,又重新可以观察到区域Ⅰ。结合TEM、XRD和Raman测试结果,从损伤恢复和应力释放的角度对上述实验现象进行了理论解释:由于Er离子半径和基体原子半径的差异,在区域Ⅱ中引入较大的应力;在1025℃退火时,来自区域Ⅱ的应力作用于区域Ⅰ,导致区域I发生大的晶格扭曲,和区域II合并,用TEM观察不到;在1200℃退火时,应力在表面释放,区域I的晶格扭曲修复,从而用TEM可重新观察到。
- 阳明明莫亚娟王晓丹曾雄辉刘雪华黄俊张纪才王建峰徐科
- 关键词：离子注入
- Pr^(3+),Tm^(3+)共注入氮化铝薄膜的光谱特性
- 2016年
- 采用离子注入的方法在氮化铝薄膜中实现Pr3+和Tm3+元素的单掺杂和共掺杂。以Raman光谱为主要表征手段,对离子注入过程中薄膜内部的应力变化进行研究;以阴极荧光为主要表征手段,对其低温和室温下的发光特性进行研究。Raman光谱的结果显示,离子注入过程使得薄膜内部应力下降,而退火过程使得薄膜内部应力升高。阴极荧光光谱结果显示,Al N∶Pr3+主要跃迁峰位于528 nm;Al N∶Tm3+主要跃迁峰位位于467 nm;Al N∶Pr3+,Tm3+主要跃迁峰位位于528 nm和467 nm。Al N∶Tm3+的低温光谱显示,与1I6和1D2两个能态相关的跃迁峰相对强度会随着温度出现急剧变化,由此表明在Tm3+之间存在与温度相关的相互作用。
- 阳明明王晓丹曾雄辉郭昀张纪才徐科
- 关键词：氮化铝薄膜光谱特性
- Er^(3+)、Pr^(3+)共掺杂AlN薄膜的发光特性和能量传递机理被引量：3
- 2017年
- 采用离子注入的方法在氮化铝(AlN)薄膜中实现Er^(3+)和Pr^(3+)的共掺杂,以阴极荧光光谱仪为主要表征手段,对其发光特性进行研究.对于Er^(3+)单掺杂的AlN薄膜,在410nm和480nm可以观察到Er^(3+)较强的发光峰,在537nm、560nm、771nm和819nm可观察到Er^(3+)的较弱的发光峰;对于Pr^(3+)单掺杂的AlN薄膜,Pr^(3+)的最强发光峰位于528nm,在657nm和675nm可以观察到Pr^(3+)的较弱的发光峰;而对于Er^(3+)和Pr^(3+)共掺杂的AlN薄膜,在494nm观察到与Pr^(3+)相关的新跃迁峰.根据实验现象,对AlN薄膜中Er^(3+)和Pr^(3+)之间的能量传递机制进行了深入分析,结果表明Er^(3+)的4F7/2→4I15/2能级跃迁与Pr^(3+)的3P0→3H4能级跃迁之间发生了共振能量传递,从而使Pr^(3+)产生了494nm新的发光峰.
- 陈飞飞王晓丹阳明明毛红敏
- 关键词：光电子学氮化铝钋发光
- GaN∶Er材料研究进展
- 2015年
- 半导体行业是一个基础性行业,同时在每个领域所占的比重也越来越高。Er掺杂的GaN材料器件,既具备稀土元素的性能,又充分发挥了半导体材料的优势。本文简要介绍了稀土Er掺杂GaN材料的制备方法,以及目前有关该材料及器件在光学性能方面的研究进展,并对其发展趋势进行了展望。
- 莫亚娟王晓丹曾雄辉阳明明王建峰徐科
- 关键词：光学性能
