黄何
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究被引量：1
- 2007年
- 借助ISE TCAD,对4H-SiC MESFET进行二维数值模拟,研究分析了表面陷阱对直流和瞬态特性的影响。数值模拟表明,在直流特性上,由于表面陷阱电荷引入附加耗尽层,器件饱和电流下降,输出电阻增加,夹断电压向右偏移,跨导降低;在瞬态特性上,表面陷阱电荷的缓慢变化引起了栅延迟的出现。能级靠近价带、密度较高时,表面陷阱效应越明显。
- 陈壮梁罗小蓉邓小川周春华黄何张波李肇基
- 关键词：MESFET直流特性
- 4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究
- 2006年
- 分析了表面陷阱对4H-SiCMESFET直流和瞬态特性的各种影响。在直流特性上,由表面陷阱引入的附加耗尽层使得饱和电流降低和夹断电压偏移;在瞬态特性上,引起栅延迟以及跨导和输出电导的频散。表面陷阱能级和密度的变化也会影响表面陷阱效应。该文还对栅延迟现象进行了分析,并给出了电子浓度分布随时间的变化。
- 陈壮梁罗小蓉邓小川周春华黄何
- 关键词：MESFET直流特性瞬态特性
