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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇量子点激光器
  • 1篇激光
  • 1篇激光器

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇深圳信息职业...

作者

  • 1篇龚谦
  • 1篇李世国
  • 1篇曹春芳
  • 1篇岳丽
  • 1篇王新中
  • 1篇王瑞春
  • 1篇刘庆博
  • 1篇陈朋

传媒

  • 1篇光电子.激光

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
InAs/InP量子点激光器制备工艺研究被引量:2
2012年
报道了通过化学湿刻蚀制备窄脊条InAs/InP量子点激光器的方法。激光器脊条主要是由半导体材料InGaAs和InP构成,通过选择合适配比的H2SO4∶H2O2∶H2O和H3PO4∶HCl腐蚀溶液和InP的腐蚀方向,在室温下选择性地腐蚀了InGaAs和InP,获得了窄脊条宽为6μm的量子点激光器。此激光器能够在室温连续波模式下工作,激射波长在光纤通信重要窗口1.55μm,单面最大输出功率超过12mW。
李世国龚谦王瑞春王新中陈朋曹春芳岳丽刘庆博
关键词:激光器量子点
共1页<1>
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