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姚思远

作品数:11 被引量:5H指数:2
供职机构:西安微电子技术研究所更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇电气工程

主题

  • 5篇低压差
  • 5篇低压差线性稳...
  • 5篇稳压
  • 5篇稳压器
  • 5篇线性稳压器
  • 5篇LDO
  • 4篇频率补偿
  • 3篇电路
  • 2篇电路结构
  • 2篇电路模块
  • 2篇电容
  • 2篇输出端
  • 2篇瞬态响应
  • 2篇启动电路
  • 2篇自适应
  • 2篇限流
  • 2篇限流保护
  • 2篇工艺波动
  • 2篇功耗
  • 2篇功耗电流

机构

  • 11篇西安微电子技...
  • 3篇中国航天科技...

作者

  • 11篇姚思远
  • 10篇刘智
  • 8篇于洪波
  • 2篇师娅
  • 1篇魏海龙
  • 1篇张强
  • 1篇王勇
  • 1篇刘文平
  • 1篇刘文平

传媒

  • 3篇微电子学与计...
  • 1篇微电子学
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 2篇2024
  • 4篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2015
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于有源滤波电路的高PSRR低噪声LDO电路设计
2024年
为了减少低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路中的噪声以及输入电压携带的纹波对输出电压精度所带来的影响,提出了一种基于有源滤波思想的优化LDO噪声和电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)的电路设计技术,在不考虑功耗以及压差的条件下,采用多级稳压设计以大幅提升LDO的电源抑制比。通过前级LDO电路对输入电压进行稳压,形成二次电源后对后续电路进行供电,同时在后级LDO的基准端加入一级额外的稳压电路进行稳压,并通过低功耗RC滤波器和跨导放大器以减少环路噪声。此外,电路还加入了低噪声前馈电路以及快速启动电路提高LDO的响应速度。基于0.18μm BCD工艺,在5 V输入3.3 V输出,负载电流为10 mA的仿真验证下,测得整体电路在1 kHz时PSRR达到−110 dB,同时在10~100 kHz下其噪声仅为5.3μVrms。同时,通过改变基准端负载电容以及负载电流对LDO的PSRR以及噪声进行仿真,其结果均满足设计需求,有效提高了LDO输出电压的精度。
吴嘉祺姚思远刘智刘智魏巍于洪波
关键词:低压差线性稳压器电源抑制比有源滤波器二次电源
用于LDO频率补偿的片内电容实现电路及LDO电路
本发明公开了一种用于LDO频率补偿的片内电容实现电路及LDO电路,包括第一启动电路模块;第一启动电路模块的输出端与第一电流比例增大电路模块的输入端相连,第二启动电路的输出端与第二电流比例增大模块的输入端相连;电容C0的负...
刘智于洪波师娅姚思远
一种用于低噪声LDO的动态零点补偿技术
2024年
为提高低压差线性稳压器(Low-DropOut Linear Regulator,LDO)的稳定性并降低前馈电路所产生的噪声,提出了一种生成自适应补偿零点的低噪声前馈电路。该前馈电路通过镜像调整管的负载电流,通过低值反馈电阻形成高增益反馈信号,与LDO输出电压经反馈网络传递给反馈端的信号耦合形成由负载电容、负载电流控制的可控零点,可有效提高LDO电路整体的稳定性。此外,电路内部加入了产生动态极点的自适应电流补偿电路以保证次极点不会对环路的相位裕度产生影响。基于0.18μm BCD工艺设计,该电路在0~800 mA的宽负载范围、5 V输入3.3 V输出下相位裕度均高于48°,适用负载电容范围≥1μF,同时该LDO在10~100 kHz的频率范围内输出噪声仅为5.0617μVrms。
吴嘉祺姚思远刘智刘智魏巍于洪波
关键词:自适应补偿低噪声频率补偿
一种双栅结构抗单粒子翻转加固SRAM存储单元被引量:3
2015年
通过对单粒子效应以及抗单粒子翻转电路加固原理进行分析,提出一种基于双栅MOS结构的具有单粒子翻转加固能力的SRAM存储单元。该单元在实现抗单粒子翻转加固的同时具有快速翻转恢复、快速写入、低静态功耗的特点。基于0.18μm CMOS工艺进行电路仿真,结果显示该加固单元读/写功能正确,翻转阈值大于100 Me V·cm2/mg。可以预测,该电路应用于空间辐射环境下将有较好的稳定性。
姚思远刘文平
关键词:单粒子翻转
用于LDO频率补偿的片内电容实现电路及LDO电路
本发明公开了一种用于LDO频率补偿的片内电容实现电路及LDO电路,包括第一启动电路模块;第一启动电路模块的输出端与第一电流比例增大电路模块的输入端相连,第二启动电路的输出端与第二电流比例增大模块的输入端相连;电容C0的负...
刘智于洪波师娅姚思远
一种提高大电流LDO瞬态响应的技术被引量:2
2020年
提出了一种有效提升大电流输出的低压差线性稳压器(LDO)瞬态响应的技术.该技术采用新颖的电压双反馈环路,实现了带宽延展;采用摆率增强电路提高了功率管栅极节点的压摆率;采用输出电流泄放电路,加快了负载电流突降后的恢复.基于0.6μm BiCMOS工艺完成设计、流片.结果表明:在1 mA^5 A,斜率为1.25 A/μs的负载突变情况下,输出电压下冲仅30.8 mV,过冲仅20.7 mV.
梅琦龙燕刘智姚思远葛梅刘文平
关键词:低压差线性稳压器瞬态响应
一种LDO的限流保护电路结构
本发明公开了一种LDO的限流保护电路结构,属于集成电路技术领域,解决了现有的低压差线性稳压器限流保护结构存在限流精度受电路工作状态及工艺波动影响较大、当半导体工艺特征尺寸减小到亚微米时,限流保护精度严重恶化、功耗电流较大...
姚思远葛梅邱鑫刘智武琪于洪波
一种LDO自适应电流频率补偿技术
2022年
为解决LDO稳定性高度依赖负载电容和ESR零点补偿可靠性差的问题,提出了一种宽负载电流范围下(0~1 A)自适应电流频率补偿技术。通过分段电流补偿设计了轻重载下动态极点和独立阻抗,在优化环路稳定性的同时,进一步减小了静态功耗;通过阻容网络信号叠加产生了随负载电流和电容变化的动态零点。经仿真及流片验证,全负载范围内最差相位裕度为55°;可空载,且空载下静态功耗仅为52.3μA;适用负载电容范围≥2.2μF,ESR范围≤1Ω。该环路具有高稳定性和宽负载电容适应性。在应对负载突变时恢复曲线平滑,无欠阻尼振荡现象。
邱鑫姚思远刘智刘智
关键词:低压差线性稳压器频率补偿自适应高稳定性
一种LDO的限流保护电路结构
本发明公开了一种LDO的限流保护电路结构,属于集成电路技术领域,解决了现有的低压差线性稳压器限流保护结构存在限流精度受电路工作状态及工艺波动影响较大、当半导体工艺特征尺寸减小到亚微米时,限流保护精度严重恶化、功耗电流较大...
姚思远葛梅邱鑫刘智武琪于洪波
一种抗γ瞬时辐照效应的LDO电路拓扑结构
本发明一种抗γ瞬时辐照效应的LDO电路拓扑结构,包括电压基准、误差放大器、输出驱动电路、PMOS功率调整管P1、NMOS晶体管N1和反馈电阻;电压基准与误差放大器反相端连接,误差放大器的输出端与输出驱动电路的输入端连接,...
刘智于洪波陈泽强姚思远葛梅吴嘉琪
共2页<12>
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