林玮
- 作品数：4 被引量：13H指数：2
- 供职机构：福州大学化学化工学院福建省功能材料工程研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电气工程更多>>
- RuO_2-ZrO_2二元氧化物电活性的EIS分析被引量：1
- 2013年
- 采用热分解法在Ti基体表面制备RuO2-ZrO2氧化物涂层.运用X-射线衍射(XRD)技术和交流阻抗(EIS)技术研究Ti/RuO2-ZrO2涂层电极的结构及其与电活性的关系.研究表明,所测试Ru-Zr二元氧化物涂层电极的等效电路可以用LRΩ(R1Q1)(Q2W)加以描述.这一电路与Ti/RuO2-TiO2涂层电极的电路具有可比性.详细分析随名义ZrO2含量的增加,R1、Q1、Q2和W阻抗值变化的规律性.并进而讨论了随ZrO2含量的增加,电极电阻元件的阻抗值变化和电容元件的电容值变化与组织形貌和结构变化之间的关系.
- 路恒达王欣朱君秋林玮唐电
- 关键词：电活性RUO2ZRO2EIS
- Ru掺杂Zr基二元氧化物的第一性原理研究被引量：5
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论的投影缀加平面波方法和广义梯度近似计算了萤石相ZrO_2及掺杂Ru形成的复合氧化物的晶体结构、电子结构、内聚能以及Bader电荷。结果表明:萤石相ZrO_2和RuO_2的点阵参数与文献报道的数值基本相符。萤石相ZrO_2中掺入Ru后,体系的晶胞形状发生微小变形且晶胞体积减小;体系由直接带隙半导体转变为间接带隙半导体,带隙从3.06 eV减小至1.03 eV。对比Ru掺杂前后ZrO_2的内聚能、态密度和Bader电荷变化发现,Ru掺杂后体系的离子性增强,共价性减弱。
- 王鑫王欣尹倩倩吴波林玮唐电
- 关键词：第一性原理计算内聚能
- Ru掺杂Sn基氧化物电极的第一性原理计算被引量：10
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和局域密度近似,研究Ru掺杂SnO_2形成的Sn_(0.875)Ru_(0.125).O_2复合氧化物电极的晶体结构和电子结构,比较掺杂前后体系的能带结构、电子态密度和载流子浓度。计算表明:Ru掺杂后SnO_2的晶胞体积缩小,复合氧化物电极的能带结构、电子态密度和载流子浓度均发生显著变化,导致材料的导电类型呈现近金属特性,揭示Ru掺杂后SnO_2导电性能显著增强的原因是导带底附近形成的杂质能级的贡献。
- 刘雪华邓芬勇翁卫祥王欣林玮唐电
- 关键词：第一性原理计算电子结构导电性能
- Ta掺杂IrO_2活性氧化物电子结构的DFT分析
- 2016年
- Ta掺杂的Ir-Ta-O是电化学工业中具有代表意义的电极材料。采用基于密度泛函理论(DFT)的投影缀加平面波中的广义梯度近似方法,对金红石型Ir8O16和Ta掺杂的Ir7Ta1O16复合氧化物的晶体和电子结构进行计算。结果表明,Ir O_2的结构数据与文献报导相吻合。掺Ta的Ir7Ta1O16存在2种不同结构,二者晶体结构参数、系统总能和电子结构很接近。Ta掺杂可使Ir8O16晶胞体积增大,使体系相对稳定。掺Ta的(Ir,Ta)O2与Ir O_2类似,也体现金属的导电特性。Ta原子比Ir原子失电子能力强,掺杂后Ta原子周围的电子向O原子转移,为体系提供了更多的离子键。
- 敬熠平念保峰王欣刘雪华邱宇周扬杰林玮唐电
- 关键词：密度泛函理论电荷密度
