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王雅欣

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:天津职业技术师范大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电场
  • 1篇电迁移
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇外电场
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基结
  • 1篇结晶速率
  • 1篇金属
  • 1篇金属诱导
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒长大
  • 1篇A-SI
  • 1篇CO
  • 1篇I-V
  • 1篇N-
  • 1篇POLY-S...

机构

  • 2篇天津大学
  • 1篇天津职业技术...
  • 1篇天津工程师范...

作者

  • 2篇王光伟
  • 2篇姚素英
  • 2篇王雅欣
  • 1篇徐文慧
  • 1篇刘颖

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇液晶与显示

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
金属诱导a-Si横向结晶速率与外电场的关系
2010年
分析了外加直流电场对Al和Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶速率的影响,指出,在热处理条件下,Al和Ni能加快诱导a-Si薄膜横向结晶的速率;适当强度的外加电场能明显加快金属诱导a-Si横向结晶速率;Al和Ni诱导a-Si结晶速率的增大主要是电场提高了扩散物的迁移率。但场强超过某临界值后该速率降低。基于电迁移效应,对此结果作了较合理的解释。结合文献,提出一经验公式,并用MATLAB模拟了外电场中Al和Ni诱导a-Si薄膜横向结晶速率曲线。
王光伟姚素英王雅欣刘颖
关键词:电迁移晶粒长大
快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响
2011年
采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/n-Si肖特基结样品。在300~600℃范围内,对样品做快热退火。对不同退火温度下的样品做I-V-T测试。研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小。总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反。基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释。
王光伟姚素英徐文慧王雅欣
关键词:肖特基结
共1页<1>
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