王雅欣
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：天津职业技术师范大学更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 金属诱导a-Si横向结晶速率与外电场的关系
- 2010年
- 分析了外加直流电场对Al和Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶速率的影响,指出,在热处理条件下,Al和Ni能加快诱导a-Si薄膜横向结晶的速率;适当强度的外加电场能明显加快金属诱导a-Si横向结晶速率;Al和Ni诱导a-Si结晶速率的增大主要是电场提高了扩散物的迁移率。但场强超过某临界值后该速率降低。基于电迁移效应,对此结果作了较合理的解释。结合文献,提出一经验公式,并用MATLAB模拟了外电场中Al和Ni诱导a-Si薄膜横向结晶速率曲线。
- 王光伟姚素英王雅欣刘颖
- 关键词：电迁移晶粒长大
- 快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/n-Si肖特基结样品。在300～600℃范围内,对样品做快热退火。对不同退火温度下的样品做I-V-T测试。研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小。总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反。基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释。
- 王光伟姚素英徐文慧王雅欣
- 关键词：肖特基结
