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龚海梅

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：南通大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇探测器
  • 3篇探测器芯片
  • 3篇平面型
  • 3篇铟镓砷
  • 3篇扩散
  • 3篇红外
  • 3篇侧向

机构

  • 3篇南通大学

作者

  • 3篇郭兴龙
  • 3篇尹海宏
  • 3篇黄静
  • 3篇李雪
  • 3篇王志亮
  • 3篇邓洪海
  • 3篇马青兰
  • 3篇王强
  • 3篇杨清华
  • 3篇龚海梅
  • 3篇杨波
  • 3篇李毅

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片的制备方法
本发明公开了平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片的制备方法，步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生长P电极...
邓洪海郭兴龙杨清华杨波王强马青兰邵海宝王志亮尹海宏黄静李毅李雪龚海梅
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一种平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片
本发明公开了一种平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片，包括N型InP衬底、N型InP层、铟镓砷本征吸收层、N型InP帽层、氮化硅扩散掩膜层、载流子侧向收集扩散阻挡区，扩散形成的PN结区和载流子侧向收集区；在光敏元四周生...
邓洪海郭兴龙杨清华杨波王强马青兰邵海宝王志亮尹海宏黄静李毅李雪龚海梅
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平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片的制备方法
本发明公开了平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片的制备方法，步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生长P电极...
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