您的位置： 专家智库 > >

刘宗芳

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：西安理工大学更多>>
发文基金：西安应用材料创新基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇数值模拟
  • 1篇热应力
  • 1篇SIC
  • 1篇值模拟

机构

  • 1篇西安理工大学

作者

  • 1篇封先锋
  • 1篇陈治明
  • 1篇李科
  • 1篇刘素娟
  • 1篇林生晃
  • 1篇刘宗芳
  • 1篇杨明超

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
PVT法生长SiC过程生长界面形状对热应力的影响被引量：4
2012年
PVT法生长SiC过程中晶体内部的热应力是其位错产生的主要原因,而生长界面的形状对晶体热应力及缺陷的产生都有一定影响。本文对不同生长界面晶体的温场及应力场进行了数值分析,结果显示相对于凸出及平整界面的晶体,微凹界面晶体的轴向温差最小,同时产生缺陷的切应力τrz及引起开裂的径向正应力σrr值都为最小。
杨明超陈治明封先锋林生晃李科刘素娟刘宗芳
关键词：SIC数值模拟热应力
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0