卜夏正
- 作品数：9 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 沟道应力对GaAs PHEMT材料电性能的影响
- 2009年
- 设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电子迁移率进行了分析表征。探讨了外延片应力与沟道结构的相关性,研究了沟道失配应力对电性能的影响机理。建立了GaAs PHEMT材料热应力引起电子传输特性退化的试验方法,进行了高温和低温存储后材料电性能的演化行为测试,并归纳了热应力引起材料电特性退化的实验结果。结果表明GaAs PHEMT材料经高、低温存储并恢复室温后仍能保持原有电性能,沟道应力对材料电性能的影响主要表现为失配应力。
- 卜夏正武一宾商耀辉牛晨亮赵辉崔琦
- 关键词：热应力电性能
- 隧穿型量子效应薄膜材料制备技术
- 本文介绍了用分子束外延(MBE)方法制备隧穿型量子效应薄膜材料的技术。随着半导体材料“能带工程”越来越广泛的应用到如无线通信、宽带网络、照明工程等各个领域,量子效应也越来越多的收到研发工程师的重视。隧穿型量子效应薄膜材料...
- 商耀辉武一宾卜夏正王建峰牛晨亮
- 文献传递
- InAs/GaAs系列量子点研究
- 2009年
- 为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAs(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数:As压维持在1.33×10-5Pa;InAs量子点和In0.2Ga0.8As的生长温度为500℃;565℃生长50nmGaAs覆盖层。生长了垂直耦合量子点(InAs1.8ML/GaAs5nm/InAs1.8ML)、阱内量子点(In0.2Ga0.8As5nm/InAs2.4ML/In0.2Ga0.8As5nm)和柱状岛量子点(InAs分别生长1.9、1.7、1.5ML,停顿20s后,生长间隔层GaAs2nm)。测得对应的室温光致发光(PL)谱峰值波长分别为1.038、1.201、1.087μm,半峰宽为119.6、128.0、72.2nm、相对发光强度为0.034、0.153、0.29。根据PL谱的峰位、半峰宽和相对发光强与量子点波长、均匀性和发光效率的对应关系,可知量子点波长有不同程度的增加、均匀性越来越好、发光效率显著增强。
- 王建峰商耀辉武一宾牛晨亮卜夏正
- 关键词：自组装量子点分子束外延光致发光谱
- 测试样品的制作方法及测试样品
- 本申请提供一种测试样品的制作方法及测试样品。该制作方法用于制作HEMT类外延材料进行VDP_HALL测试所使用的测试样品，该制作方法包括：手工制作第一预制样品；第一预制样品包括衬底和位于衬底上的外延层；基于预先制作的电极...
- 商耀辉牛晨亮卜夏正房玉龙陈宏泰
- RTD纳米薄层的精细控制及X射线双晶衍射测量被引量：2
- 2006年
- 在共振隧穿二极管(RTD)的MBE生长中,用双生长速率和束流调制技术实现了RTDnm级薄层的精细控制;用X射线双晶衍射仪扫描并分析了典型双势垒RTD样品的衍射摇摆曲线;用计算机对样品结构进行了动力学模拟分析。结果显示样品异质结界面和晶体质量良好,纳米薄膜的组分和厚度偏差分别控制在2%和3.5%之内,说明薄层的生长得到了精细控制。
- 卜夏正武一宾商耀辉王建峰
- 关键词：共振隧穿二极管X射线双晶衍射动力学模拟
- 隧穿型量子效应薄膜材料制备技术
- 探讨了隧穿型量子效应薄膜材料制备技术,并应用分子束外延方法制备了典型结构外延材料 GaAs 基共振隧穿二极管,经过器件验证,得到了较好的结果。重点讨论了关键制备技术,包括束流精细控制和间歇式生长方式,主要是为了生长出更接...
- 商耀辉武一宾卜夏正牛晨亮王建峰李亚丽张雄文
- 关键词：分子束外延共振隧穿二极管
- 文献传递
- X射线在超晶格材料衍射中的相干性分析
- 2007年
- X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加。分子束外延(MBE)生长了短周期InGaAs/GaAs超晶格,在其摇摆曲线中观察到显示X射线在超晶格结构中衍射相干特征的多级卫星峰及Pendell song干涉条纹,并利用相干光理论对超晶格结构信息诸如周期及"0"级峰位置等进行了分析。
- 马永强武一宾杨瑞霞李若凡商耀辉牛晨亮卜夏正王建峰
- 关键词：超晶格分子束外延X射线双晶衍射相干长度
- 隧穿型量子效应薄膜材料制备技术
- 2007年
- 探讨了隧穿型量子效应薄膜材料制备技术,并应用分子束外延方法制备了典型结构外延材料GaAs基共振隧穿二极管,经过器件验证,得到了较好的结果.重点讨论了关键制备技术,包括束流精细控制和间歇式生长方式,主要是为了生长出更接近完美的晶体结构和晶体表面,并分析了测试结果和器件验证结果,最终得出整套隧穿型量子效应薄膜材料制备技术.
- 商耀辉武一宾卜夏正牛晨亮王建峰李亚丽张雄文
- 关键词：分子束外延共振隧穿二极管
- 用于3mm器件的GaAsPHEMT外延材料
- 2015年
- 开发出一种适用于3mm功率器件的新沟道结构的GaAs PHEMT外延材料。分析了提高电子迁移率的途径,讨论了InGaAs电子有效质量和In组分的关系,参考InP HEMT结构的迁移率和沟道电子有效质量推算了InGaAs沟道的In组分范围;通过计算沟道内二维量子态浓度和临界厚度设计了沟道厚度。在MBE生长过程中通过工艺调整改善了高In组分沟道的晶体质量和界面平整度,降低了散射概率,设计并生长了不同沟道In组分和厚度组合的GaAs PHEMT材料,根据霍尔测试结果进行微调后室温霍尔迁移率和二维电子气(2DEG)浓度分别达到9 080 cm2/(V·s)和3.61×1012 cm-2。3mm功放器件结果:输出功率为21dBm,29 GHz下功率增益为8 dB,饱和电流为400 mA/mm,最大跨导为800mS/mm。
- 卜夏正武一宾商耀辉牛晨亮王健
- 关键词：GAASPHEMT电子迁移率INGAAS
