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王益

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：云南师范大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇氧化铪
  • 1篇栅绝缘层
  • 1篇室温制备
  • 1篇晶体管
  • 1篇绝缘层
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇氮
  • 1篇并五苯

机构

  • 1篇云南师范大学

作者

  • 1篇蔡武德
  • 1篇杨志坤
  • 1篇刘应开
  • 1篇谭秋红
  • 1篇王前进
  • 1篇王益

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种基于氮氧化铪栅绝缘层室温制备的并五苯薄膜晶体管
本实用新型属于存储器技术领域，具体涉及一种基于氮氧化铪栅绝缘层室温制备的并五苯薄膜晶体管，包括栅电极、氮氧化铪绝缘层、并五苯沟道层、源电极和漏电极，所述栅电极上设置有氮氧化铪绝缘层，氮氧化铪绝缘层上设置有并五苯沟道层，并...
谭秋红王前进刘应开王益蔡武德杨志坤
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