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AZ4620光刻胶掩膜的氮化硅图形化工艺被引量：2: 2017年; 以薄膜体声波谐振器(FBAR)的背腔刻蚀为研究背景,研究了光刻工艺参数设置与光刻图形转移效果的关系。分析了紫外曝光剂量大小对光刻图形面积和边角曲率的影响,优化得到最佳工艺流程,以AZ4620光刻胶为掩膜实现了氮化硅的湿法刻蚀。实验结果表明,曝光剂量为60 mJ、显影时间60 s时,曝光图形化质量最佳;随着氮化硅刻蚀液温度的升高,湿法刻蚀速率不断增大,温度过高导致光刻胶被破坏而不能起到掩膜作用,60℃时刻蚀速率为109.5 nm/min,得到了边线规整、底部平整的微结构。刻蚀后表面分子喇曼位移为单晶硅的波峰(519.354 cm^(-1)),证实氮化硅被完全去除,为氮化硅作掩膜的单晶硅湿法刻蚀提供了一种有效途径。; 胡磊石树正高翔何剑穆继亮丑修建; 关键词：掩膜湿法刻蚀刻蚀速率

NaOH对硅基薄膜体声波谐振器的背腔刻蚀研究: 2018年; 薄膜体声波谐振器(FBAR)在无线通信领域具有十分广阔的发展和应用前景。该文主要针对薄膜体声波谐振器背腔湿法刻蚀工艺进行了研究。通过改变Na OH浓度以及刻蚀温度对硅进行了湿法刻蚀,研究了硅的刻蚀速率以及刻蚀表面的粗糙度Ra。研究表明硅刻蚀速率随温度呈指数变化,在Na OH质量分数为33%时刻蚀速率最快,同时刻蚀表面粗糙度最小。在此质量分数条件下,刻蚀速率可达1μm/min,刻蚀表面粗糙度小于5 nm。该刻蚀工艺可以满足谐振器背腔刻蚀过程中对硅以及支撑层表面质量的要求。; 徐方良石树正胡磊张辉高翔何剑穆继亮丑修建; 关键词：FBAR NAOH 刻蚀速率

一种双环型宽频印制微带天线的设计与仿真被引量：2: 2017年; 提出了一种新型的宽频带微带天线,辐射贴片基本结构为双同心圆环,选用环氧玻璃纤维树脂材质的基板,基板厚度H=1.6mm。将天线结构印制于30mm×40mm的基板上,同时参考地印制于基板背面选定区域。借助Ansoft HFSS 15.0进行仿真,在1~8GHz进行扫频,可用频段为2.44~5.40GHz,相对带宽为76%。给出了反射系数S_(11)、电压驻波比VSWR和辐射方向图的仿真结果,分析了结构参数R_1、R_2、O、W、H_1对天线辐射性能的影响。所设计天线基本可用于(2.40~2.48GHz/5.15~5.35GHz)WLAN、蓝牙、ZigBee、(3.40~3.69GHz/5.25~5.85GHz)WiMAX,具有一定的参考价值。; 张辉石树正徐方良胡磊高翔王二伟温涛丑修建; 关键词：印制天线 HFSS 宽频带

电镀镍磷层及其在薄膜剥离中的应用: 2018年; 利用柔性压电薄膜为能量采集器供电在微电子机械系统（MEMS）领域应用越来越广泛,通过电镀应力层剥离制备薄膜是近年来广受关注的一种方法。通过在氯化镍电镀液中加入不同质量浓度的磷离子和控制不同的电流密度,在铜片上电镀得到不同的镍磷镀层。对镀层进行共聚焦显微镜观测、台阶仪测量厚度、镍磷层内应力计算、X射线衍射（XRD）和X射线能谱仪（EDS）分析,结果表明：电流密度恒定为10 mA/cm2,磷离子质量浓度由0-0.04 g/L的变化过程中,镍磷层内应力由112 MPa增加到322 MPa,而磷离子质量浓度高于0.04 g/L后,内应力减小,镀层含磷原子数分数逐渐升高;磷离子质量浓度恒定为0.04 g/L,电流密度由5 mA/cm2增加到20 mA/cm2时,镍磷层内应力从181 MPa增加到343 MPa,而电流密度高于20 mA/cm2后,内应力逐渐减小,镀层含磷原子数分数逐渐降低。之后通过控制电镀条件利用电镀镍磷层应力从硅基底成功剥离制备硅薄膜。; 高翔石树正张晶何剑穆继亮杨玉华丑修建; 关键词：电镀

基于四螺旋梁-质量块的MEMS压电能量采集器被引量：6: 2018年; 设计了一种四螺旋悬臂梁-质量块结构的压电能量采集器,将环境振动能转换为电能。采用有限元分析软件（COMSOL Multiphysics）建立结构模型,仿真结构固有频率,计算不同振动频率下器件的位移、应力、应变和电势以及不同加速度下的电压输出,仿真得到结构的一阶谐振频率为102 Hz,为后期测试提供指导。利用溶胶-凝胶工艺完成锆钛酸铅（PZT）压电薄膜的制备,通过微电子机械系统（MEMS）工艺和引线键合工艺完成器件结构制造,将四个螺旋梁上的压电单元串联以实现输出最大化。性能测试结果表明：器件固有频率为110 Hz,输出电压随加速度的增大而线性增大,3g加速度下输出电压峰峰值为140 m V。; 高翔石树正徐方良何剑穆继亮杨玉华丑修建; 关键词：压电效应

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高翔