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磁控溅射法制备的CdS:Al薄膜的性质研究: 2017年; 采用Al和CdS双靶共溅射的方法,调控Al和CdS源的沉积速率,制备出不同Al掺杂浓度的CdS:Al薄膜。通过XRD、SEM、AFM、紫外–可见透射光谱分析、常温霍尔测试对CdS:Al薄膜的结构、形貌、光学和电学性质进行表征。XRD结果表明,不同Al掺杂浓度的CdS:Al薄膜均为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,并且在(002)方向择优生长。SEM和AFM结果表明,CdS:Al薄膜的表面均匀致密,表面粗糙度随着Al掺杂浓度的增加略有增加。紫外–可见透射光谱分析表明,CdS:Al薄膜禁带宽度在2.42~2.46 eV之间,随着Al掺杂浓度的增加而略微减小。常温霍尔测试结果证明,掺Al对CdS薄膜的电学性质影响显著,掺Al原子浓度3.8%以上的CdS薄膜,载流子浓度增加了3个数量级,电阻率下降了3个数量级。掺Al后的CdS薄膜n型更强,有利于与CdTe形成更强的内建场,从而提高太阳电池效率。用溅射方法制备的CdS:Al薄膜的性质适合用作CdTe薄膜太阳电池的窗口层。; 王佛根陈蕴璐任胜强张家远武莉莉冯良桓; 关键词：射频磁控溅射 CDTE太阳电池

Zn_(1-x)Mg_xO电子结构及光学性质的第一性原理GGA+U方法研究被引量：2: 2018年; Mg掺杂ZnO形成的固溶体Zn_(1-x)Mg_xO(ZMO)(0≤x≤0.25)是一种带隙较宽、电子学性质可调控的半导体材料,在薄膜太阳电池及光电设备的透明电极等方面具有重要的应用价值。基于密度泛函理论下的第一性原理超软赝势方法,采用GGA+U计算了ZMO的电子结构和光学性质。计算结果表明,随着x值的增加,ZMO的禁带宽度由x=0时的3.32eV增加到x=0.25时的3.78eV;光吸收边及反射谱和能量损失谱均发生明显蓝移,峰值存在于紫外光区。计算结果与实验结论相符合。; 何旭何旭武莉莉任胜强张静全; 关键词：第一性原理电子结构光学性质

霍尔效应测试的系统误差分析: 2016年; 使用霍尔效应测试薄膜样品的电学性质,可获得样品的电阻率、有效载流子浓度、迁移率等性质;但由于计算公式及仪表测试精度的影响,测试得到的结果存在无法避免的误差。该文分析了范德保法测试和霍尔效应测试由于计算公式和测试仪表精度产生的系统误差,由此获知测试结果的误差。; 王文武郁骁琦任胜强武莉莉李卫张静全; 关键词：电学性质

Zn_(1–x)Mg_xO能带结构及作为窗口层的CdTe薄膜太阳电池的SCAPS仿真应用被引量：3: 2018年; 采用第一性原理广义梯度近似+U(GGA+U)方法计算了纤锌矿结构Zn_(1–x)Mg_xO(ZMO)(0≤x≤0.25)合金的能带结构。计算表明:随着Mg组分增加,ZMO化合物的导带底及费米能级均向真空能级方向移动,带隙增宽。基于理论计算得到ZMO的能带结构参数,使用SCAPS软件对ZMO作窗口层的CdTe薄膜太阳电池的性能进行了仿真模拟,并将研究结果与CdS作窗口层的CdTe太阳电池的性能进行了比较。结果表明:Mg在ZMO中的含量0≤x≤0.125时,ZMO/CdTe太阳电池具有比CdS/CdTe太阳电池更高的开路电压和短路电流密度;ZMO的导带底高出CdTe导带底约0.13 e V时,CdTe薄膜太阳电池的转换效率最高,达到18.29%。这些结果为高效率碲化镉薄膜太阳电池的结构设计和器件制备提供了理论指导。; 何旭何旭任胜强李春秀武莉莉张静全; 关键词：薄膜太阳电池

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任胜强