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何鋆

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：西安空间无线电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇中文专利

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 9篇二次电子
  • 7篇电子发射
  • 7篇二次电子发射
  • 4篇微波部件
  • 4篇无源互调
  • 4篇互调
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化钛
  • 3篇滤波器
  • 3篇介质
  • 3篇插损
  • 2篇等离子体增强
  • 2篇低阶
  • 2篇电平
  • 2篇电平测量
  • 2篇电性能
  • 2篇镀层
  • 2篇银表面
  • 2篇银镀层
  • 2篇原子

机构

  • 21篇西安空间无线...
  • 2篇北京理工大学

作者

  • 21篇何鋆
  • 15篇崔万照
  • 11篇杨晶
  • 7篇白春江
  • 6篇胡天存
  • 5篇魏焕
  • 5篇李韵
  • 4篇王新波
  • 3篇张娜
  • 2篇于洪喜
  • 2篇李永东
  • 2篇李军
  • 2篇张洪太
  • 1篇王瑞
  • 1篇李亚峰
  • 1篇刘鹏

年份

  • 4篇2025
  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 5篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器
本发明提供了一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器，通信微波技术领域。所述谐振结构，包括第一谐振器、第二谐振器和侧壁耦合介质窗，所述第一谐振器和第二谐振器均为方形切角全介质填充谐振器，且介电常数均为21.5±0.5，...
王琪白春江崔万照李韵封国宝何鋆杨晶苗光辉
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一种基于石英材料的双模介质滤波器
一种基于石英材料的双模介质滤波器，具有单模工作带宽很宽，横跨整个X频段，Q值高等特点，利用TE11模实现单腔双模，侧壁耦合介质单窗实现M23与M14的耦合。该介质谐振器的介电常数为3.8±0.1，正切损耗角为0.0002...
苗光辉崔万照何鋆李韵封国宝高玉龙王君峰
一种低二次电子发射系数的膜层及其制备方法
本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积...
何鋆白春江苗光辉胡天存张恒黄浩陈国宇
一种快速确定矩形波导法兰3阶无源互调产物电平的方法
本发明公开的一种快速确定矩形波导法兰3阶无源互调产物电平的方法，属于微波部件无源互调领域。本发明实现方法为：步骤1：将矩形波导法兰接触面等效为金属‑绝缘层‑金属结构，确定矩形波导法兰接触面两侧的电势差；步骤2：利用矩形波...
李东何鋆王琪封国宝胡天存
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一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法
本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250‑3000ev。...
何鋆王琪封国宝杨晶苗光辉白春江崔万照
一种介质二次电子发射产额的测量方法
本发明公开了一种介质二次电子发射产额的测量方法，包括：将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；获取金...
封国宝王琪杨晶苗光辉谢桂柏何鋆崔万照
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一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器
本发明提供了一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器，通信微波技术领域。所述谐振结构，包括第一谐振器、第二谐振器和侧壁耦合介质窗，所述第一谐振器和第二谐振器均为方形切角全介质填充谐振器，且介电常数均为21.5±0.5，...
王琪白春江崔万照李韵封国宝何鋆杨晶苗光辉
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一种确定大功率微波部件高阶无源互调电平的方法
一种确定大功率微波部件高阶无源互调电平的方法，(1)预先给定载波频率分别为f<Sub>1</Sub>和f<Sub>2</Sub>，互调频率为f<Sub>p(|m|+|n|)</Sub>＝m*f<Sub>1</Sub>+n...
王新波魏焕李韵崔万照李军何鋆李永东
一种确定大功率微波部件高阶无源互调电平的方法
一种确定大功率微波部件高阶无源互调电平的方法，(1)预先给定载波频率分别为f<Sub>1</Sub>和f<Sub>2</Sub>，互调频率为f<Sub>p(|m|+|n|)</Sub>＝m*f<Sub>1</Sub>+n...
王新波魏焕李韵崔万照李军何鋆李永东
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基于精密电铸技术的微波部件二次电子发射抑制方法
本发明公开了一种基于精密电铸技术的微波部件二次电子发射抑制方法，包括如下步骤：硅片表面清洗、匀胶、前烘、光刻、显影、后烘竖膜、剥离、硅基“电子陷阱”向微波器件的精密电铸复型。本发明方法在微波部件表面形成规则的电子陷阱结构...
胡天存何鋆张娜魏焕
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