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刘燕

作品数:9 被引量:3H指数:1
供职机构:昆明物理研究所更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇制冷
  • 4篇制冷器
  • 4篇节流制冷
  • 4篇节流制冷器
  • 2篇太空
  • 2篇太空环境
  • 2篇排气喷管
  • 2篇喷管
  • 2篇稳压
  • 2篇接口
  • 2篇节流
  • 2篇节流孔
  • 2篇肋片
  • 2篇肋片管
  • 2篇汉普
  • 2篇红外
  • 2篇红外器件
  • 2篇侧向应力
  • 1篇调相
  • 1篇动磁式

机构

  • 9篇昆明物理研究...

作者

  • 9篇刘燕
  • 5篇环健
  • 4篇周建
  • 4篇李家鹏
  • 3篇陈军
  • 2篇赵鹏
  • 2篇孔金丞
  • 2篇丛树仁
  • 2篇赵琳珊
  • 2篇宋林伟
  • 1篇姜军
  • 1篇唐利斌
  • 1篇邓功荣
  • 1篇邹丁立
  • 1篇吴刚
  • 1篇姬玉龙
  • 1篇姬荣斌
  • 1篇岳义开
  • 1篇夏明
  • 1篇宋立媛

传媒

  • 3篇红外技术

年份

  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2019
  • 3篇2017
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
碲锌镉衬底表面处理研究
2023年
主要从碲锌镉表面处理工艺及表面位错缺陷揭示两个方面对碲锌镉衬底的表面处理研究进行了详细介绍。从表面处理机理和工艺参数对衬底表面的影响两个方面介绍了机械研磨、机械抛光、化学机械抛光以及化学抛光4种表面处理工艺。同时,介绍了能揭示碲锌镉不同晶向表面的位错缺陷的Everson、Nakagawa及EAg三种化学腐蚀液。
江先燕丛树仁宁卓起文斌刘燕宋林伟孔金丞
关键词:表面处理
垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法
垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法,涉及光电器件成像技术领域,尤其是一种高性能垂直型ITO/黑硅可见‑近红外光电探测器的制备技术。该光电探测器基于n型硅衬底,正面为高掺杂浓度的p型层。器件背面的n型层为过饱和掺杂的...
张玉平唐利斌邓功荣吴刚袁绶章王博宋立媛赵鹏王静宇岳彪王海澎刘燕辛永刚王琼芳苏润洪魏虹姬玉龙黄俊博李红福李轶民敖雨彭秋思吴强
一种具有两个节流孔的微型汉普逊节流制冷器
本发明公开一种具有两个节流孔的微型汉普逊的节流制冷器,由高压进气接口、外芯轴,汉普逊回热换热器(肋片管)、节流阀、内芯轴、流量调节器和节流阀针组成。与传统的微型汉普逊节流制冷器不同的是,本发明所公开的微型汉普逊节流制冷器...
周建李家鹏邱杰聂喜亮环健刘燕
文献传递
一种具有两个节流孔的微型汉普逊节流制冷器
本发明公开一种具有两个节流孔的微型汉普逊的节流制冷器,由高压进气接口、外芯轴,汉普逊回热换热器(肋片管)、节流阀、内芯轴、流量调节器和节流阀针组成。与传统的微型汉普逊节流制冷器不同的是,本发明所公开的微型汉普逊节流制冷器...
周建李家鹏邱杰聂喜亮环健刘燕
文献传递
一种应用于微型节流制冷器的回流稳压结构
本发明公开一种应用于微型节流制冷器的回流稳压结构,由集气法兰、出气接头、排气喷管、密封圈等组成,回流稳压结构布置在杜瓦和微型节流制冷器的尾端。本发明公开的回流稳压结构充分利用了杜瓦‑制冷组件尾端的空间,当节流制冷器工作时...
周建陈军李家鹏刘燕环健赵琳珊
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微型脉冲管制冷机调相部件的数值模拟和实验研究
2017年
由于脉冲管制冷机冷端没有运动部件,具有可靠性高、寿命长、振动小等优点,非常适合应用于空间领域。本文介绍了一款微型脉冲管制冷机的基本结构、数值模拟和实验性能,其线性压缩机采用动磁式结构,板弹簧支撑和间隙密封技术,膨胀机的蓄冷器和脉冲管为同轴型布置,这种结构使冷头与器件之间的耦合非常方便。使用SAGE软件对脉冲管制冷机的调相机构进行数值模拟,并对模拟结果进行实验验证。
熊超夏明陈军黄伟习中立邹丁立苏俊环健刘燕
关键词:数值模拟
一种应用于微型节流制冷器的回流稳压结构
本发明公开一种应用于微型节流制冷器的回流稳压结构,由集气法兰、出气接头、排气喷管、密封圈等组成,回流稳压结构布置在杜瓦和微型节流制冷器的尾端。本发明公开的回流稳压结构充分利用了杜瓦‑制冷组件尾端的空间,当节流制冷器工作时...
周建陈军李家鹏刘燕环健赵琳珊
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一种化学抛光夹具
本发明公开了一种化学抛光夹具,该夹具整体呈圆柱形,在其圆柱的顶部的圆形面上设置有矩形凹槽、预留取片口、环形凹槽和棒形凹槽;矩形凹槽设置在所述顶部的圆形面的中心区域,呈矩形,用于放置待抛光的晶片或薄膜;在矩形凹槽的四个角上...
刘燕洪雁彭凝陈洪富赵才健彭振仙邓声玉马震宇岳义开徐浩储德亮
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昆明物理研究所大面积水平推舟液相外延碲镉汞薄膜技术进展被引量:3
2023年
报道了近年来昆明物理研究所在富碲水平推舟液相外延碲镉汞外延薄膜制备技术方面的进展。2019年以来,突破了Ф120 mm碲锌镉晶体定向生长技术,使碲锌镉衬底沉积相和夹杂相密度≤5×103 cm^(-2),位错腐蚀坑密度(EPD)≤4.0×10^(4)cm^(-2),Ф120 mm(111)晶圆衬底的Zn组份分布极差≤0.36%。基于碲锌镉衬底技术的进步,液相外延碲镉汞薄膜的最大生长尺寸达到了70 mm×75 mm,薄膜位错腐蚀坑密度均值为5×10^(4)cm^(-2),X射线双晶回摆曲线半峰宽(DCRC-FWHM)≤35 arcsec,部分可控制到25 arcsec以下;50 mm×60 mm尺寸长波碲镉汞薄膜的厚度极差≤±1.25μm,室温截止波长极差≤±0.1μm,中波碲镉汞薄膜相应指标分别为≤±1μm、≤±0.05μm。材料技术的进展促进了制冷型碲镉汞探测器产能提升和成本的降低,也支撑了高性能长波/甚长波探测器、高工作温度(HOT)探测器以及2048×2048、4096×4096等甚高分辨率高性能探测器的研制。
孔金丞宋林伟起文斌姜军丛树仁刘燕荣徽宇许江明方东赵鹏姬荣斌
关键词:液相外延碲镉汞薄膜
共1页<1>
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