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周云波

作品数:8 被引量:3H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金江苏省“333工程”科研项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇存储器
  • 3篇低工作电压
  • 3篇电路
  • 3篇电压
  • 3篇源极
  • 3篇灵敏放大器
  • 3篇工作电压
  • 3篇存储器设计
  • 2篇嵌入式
  • 2篇放大器
  • 2篇放大器电路
  • 2篇比较器
  • 1篇读操作
  • 1篇端口
  • 1篇译码电路
  • 1篇正反馈
  • 1篇数模
  • 1篇数模转换
  • 1篇数模转换器
  • 1篇双端口

机构

  • 8篇中国电子科技...
  • 4篇江南大学
  • 1篇苏州大学
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 8篇周云波
  • 3篇于宗光
  • 3篇赵桂林
  • 3篇高宏
  • 1篇陈珍海
  • 1篇封晴
  • 1篇王燕
  • 1篇胡凯
  • 1篇杨晓花
  • 1篇张国贤

传媒

  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇微计算机信息
  • 1篇电子与封装
  • 1篇中国电子科学...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种源极电压自适应调节的灵敏放大器电路
本发明公开一种源极电压自适应调节的灵敏放大器电路,属于存储器设计技术领域,包括灵敏放大器模块和源极电压调节模块;所述源极电压调节模块根据所述灵敏放大器模块工作时源极的电压需求,将低电压VSS进行负向调节,输出电平NVSS...
张其笑周云波赵桂林杨霄垒吴晨烨高宏张新港王克鑫徐亮张文尧周健恺
8ns 4M_bit高可靠性静态随机存储器
2010年
为了满足目前对大容量、高速、高可靠性静态随机存储器(SRAM)越来越多的需求和解决高集成度的SRAM成品率深受生产工艺影响的问题,文章提出了一个256k×16bit高性能SRAM的设计。主要针对以下几个方面进行了描述:采用分级字线的方法和字线局部译码电路,提高速度;采用全PMOS管启动电路、与电源无关的偏置和加入补偿电容的稳压电路消除振荡、提高可靠性、降低功耗;冗余修补电路提高产品成品率。该4M_bitSRAM芯片采用SMIC0.18μm标准工艺,地址转换和存取时间仅为8ns,在SS模型125℃加入寄生参数且每个I/OPAD端口挂50pF电容的情况下,仿真结果表明从地址建立到数据读出仅需要7.16ns。
王燕周云波张国贤杨晓花
关键词:静态存储器
一种抗辐射双端口16管存储单元阵列
本发明公开一种抗辐射双端口16管存储单元阵列,属于存储器领域,包括DICE结构抗辐射双端口16管存储单元、左端口字线WLLn、右端口字线WLRn、左端口位线BLLn和BLNLn、右端口位线BLRn和BLNRn。一列存储单...
周云波王航智张莉莉
一种嵌入式高性能比较器被引量:1
2009年
针对一款嵌入式10位逐次逼近型A/D转换器,我们设计出一种低功耗高精度的比较器。该比较器采用多级结构,其中前三级是带有正反馈的差分放大器,而后三级则是简单的反相器。此外,我们在电路中引入输入失调校准和输出失调校准的混合技术,以及实现自清零的电路技术。该比较器还采用SMIC0.25μmCMOS工艺模型,在2.5V电源电压下,我们使用HSPICE仿真的结果表明:其比较精度可达到0.2mV、速度为20MHz,而功耗仅为8μW。
周云波于宗光
关键词:比较器级联结构正反馈
一种能够自适应调节源极电压的灵敏放大器
本实用新型公开一种能够自适应调节源极电压的灵敏放大器,属于存储器设计技术领域,包括灵敏放大器模块和源极电压调节模块;所述源极电压调节模块根据所述灵敏放大器模块工作时源极的电压需求,将低电压VSS进行负向调节,输出电平NV...
张其笑周云波赵桂林杨霄垒吴晨烨高宏张新港王克鑫徐亮张文尧周健恺
文献传递
一种嵌入式10位2MS/s逐次逼近模数转换器被引量:2
2011年
设计了一种10位2 MS/s嵌入式逐次逼近结构ADC。为提高ADC精度,其中DAC采用电压和电荷按比例缩放混合结构,比较器使用了输入失调校准和输出失调校准技术。采用TSMC0.18μm1P6M数字CMOS工艺进行流片验证,整个ADC核面积仅为0.9×0.6 mm2。测试结果表明,在2 MHz采样率、输入信号为180 kHz正弦信号情况下,该ADC模块具有8.51位的有效分辨率,最大微分非线性为-0.8^+0.7LSB,最大积分非线性为-1.7^+1.5 LSB,而整个模块的功耗仅为1.2 mW。
周云波陈珍海于宗光
关键词:数模转换器比较器
与ONO反熔丝FPGA匹配的高压器件设计
2012年
描述了一种与ONO反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)匹配的高压nMOSFET的设计.该器件采用中国电子科技集团公司第五十八研究所晶圆的1.0μm 2P2M ONO反熔丝工艺生产实现.该工艺中,通过一次离子注入和高温推进实现了深结HVNwell;通过将高压注入与栅极多晶保持0.2μm的间距解决了增加结深、提高速度与降低穿通击穿电压的矛盾;通过一次离子注入实现了高压nMOSFET阈值电压的调整.测试结果表明:高压nMOSFET的击穿电压达到21~23 V,远大于ONO反熔丝13.5 V的编程电压;饱和电流为4.32 mA,与工艺改进前相比饱和电流明显增大,工作速度得到提升,满足反熔丝FPGA工作频率的要求;阈值电压为0.78 V,与常压器件兼容.
周云波于宗光封晴胡凯
关键词:高压器件FPGA
一种源极电压自适应调节的灵敏放大器电路
本发明公开一种源极电压自适应调节的灵敏放大器电路,属于存储器设计技术领域,包括灵敏放大器模块和源极电压调节模块;所述源极电压调节模块根据所述灵敏放大器模块工作时源极的电压需求,将低电压VSS进行负向调节,输出电平NVSS...
张其笑周云波赵桂林杨霄垒吴晨烨高宏张新港王克鑫徐亮张文尧周健恺
文献传递
共1页<1>
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