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周州
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1
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供职机构:
中国电子科技集团第十三研究所
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
蔡道明
中国电子科技集团第十三研究所
赵永林
中国电子科技集团第十三研究所
郭亚娜
中国电子科技集团第十三研究所
刘跳
中国电子科技集团第十三研究所
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刘跳
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郭亚娜
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蔡道明
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周州
传媒
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微纳电子技术
年份
1篇
2005
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InGaAs(InAlAs)/InP和InP/InAlAs湿法选择腐蚀研究
2005年
介绍了两种选择腐蚀液对InGaAs(InAlAs)I/nP和InPI/nAlAs异质结构材料选择腐蚀的实验结果,重点介绍在InAlAs上面生长InP的湿法选择腐蚀,用HClH∶3PO4C∶H3COOH系列腐蚀液,InPI/nAlAs选择比大于300。InPI/nAlAs湿法选择腐蚀的结果可以很好应用到OEIC芯片制作中,并取得了较好的器件及电路结果。
赵永林
蔡道明
周州
郭亚娜
刘跳
关键词:
选择比
光电子集成电路
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