张杨
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：桂林电子科技大学信息与通信学院更多>>
- 发文基金：广西千亿元产业重大科技攻关工程项目广西壮族自治区自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 表面注入D-RESURF器件耐压模型被引量：1
- 2011年
- 建立表面注入双重降低表面电场(D-RESURF)结构击穿电压模型。D-RESURF器件在衬底纵向电场和Pb区附加电场的影响下,漂移区电荷共享效应增强,优化漂移区掺杂浓度增大,器件导通电阻降低。分析漂移区浓度和厚度对击穿电压的影响,获得改善击穿电压和导通电阻折中关系的途径。在满足最优表面电场和完全耗尽条件下,导出吻合较好的二维RESURF判据。在理论的指导下,成功研制出900 V的D-RESURF高压器件。
- 李琦王卫东张杨张法碧
- 关键词：击穿电压导通电阻
- 埋层低掺杂漏SOI高压器件的击穿电压被引量：1
- 2011年
- 提出一种具有埋层低掺杂漏(BLD)SOI高压器件新结构。其机理是埋层附加电场调制耐压层电场,使漂移区电荷共享效应增强,降低沟道边缘电场,在漂移区中部产生新的电场峰。埋层电中性作用增加漂移区优化掺杂浓度,导通电阻降低;低掺杂漏区在漏极附近形成缓冲层,改善漏极击穿特性。借助二维半导体仿真器MEDICI,研究漂移区浓度和厚度对击穿电压的影响,获得改善击穿电压和导通电阻折中关系的途径。在器件参数优化理论的指导下,成功研制了700V的SOI高压器件。结果表明:BLD SOI结构击穿电压由均匀漂移区器件的204V提高到275V,比导通电阻下降25%。
- 李琦王卫东张杨赵秋明
- 关键词：埋层击穿电压调制导通电阻
