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徐奇

作品数:9 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学技术大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省自然科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇电子设备
  • 2篇电路
  • 2篇数据集
  • 2篇人工智能
  • 2篇人工智能领域
  • 2篇模型参数
  • 2篇晶体管
  • 2篇聚类
  • 2篇聚类中心
  • 2篇光电
  • 2篇光电材料
  • 2篇钙钛矿
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 2篇
  • 1篇电导
  • 1篇电路技术
  • 1篇电路图
  • 1篇电子设计
  • 1篇电子设计自动...

机构

  • 9篇中国科学技术...

作者

  • 9篇徐奇
  • 4篇陈松
  • 3篇李兵
  • 1篇陈林
  • 1篇陈松

传媒

  • 1篇计算机辅助设...

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2018
  • 1篇2017
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
基于机器学习的锡基钙钛矿薄膜晶体管优化方法及其装置
本发明提供了一种基于机器学习的锡基钙钛矿薄膜晶体管优化方法及其装置,可以应用于人工智能以及光电材料技术领域。该基于机器学习的锡基钙钛矿薄膜晶体管优化方法包括:根据确定的锡基钙钛矿薄膜晶体管的工艺设计参数,确定初始候选点;...
胡芹徐奇管景睿李兵
图像识别模型的训练方法、识别方法、电子设备及介质
本公开提供了一种图像识别模型的训练方法、识别方法、电子设备及介质。可以应用于人工智能领域。该训练方法包括:根据与第一样本图像中的至少一个像素各自对应的重要度,对至少一个像素的梯度值进行调整,得到第二样本图像;将第二样本图...
徐奇毕永天陈松康一
暗硅多核系统芯片资源调度算法被引量:2
2017年
芯片集成度的提升芯片带来功耗密度的增加,引起芯片的过热问题.近年来,人们提出暗硅设计的概念,有选择地关闭部分工作模块,避免芯片上所有模块同时处于开启状态,以解决过热问题.为此,提出一种基于模拟退火的多核系统资源调度算法.针对具体的应用采用迭代方法调整热设计功耗约束、分配处理器资源,并确定芯片模块的开启和关闭,在保证系统吞吐的同时,有效地解决芯片的过热问题.首先,针对已知应用集,在热设计功耗和系统约束下通过动态规划为每个应用配置处理器数目和频率等级.其次,基于模拟退火算法以散热效果和通信延迟为目标完成应用映射,确定开启和关闭的处理器.最后,根据有无过热点的反馈,迭代地调整热设计功耗大小,获得系统最大热设计功耗,并据此获得应用的最终资源配置和映射结果.所提调度方法能够有效地避免过热点,在资源约束下最优化系统性能.实验结果表明,相比于棋盘式布局,系统最高温度能够降低3%,相比开关调整过热点的方法,系统吞吐量能够最大增加约12%.
孙奥林徐奇陈松
关键词:多核系统动态规划模拟退火
架构确定方法及装置
本公开提供了一种架构确定方法及装置,可以应用于计算机技术领域。该方法包括:响应于已接收到计算任务,将架构样本数据输入至架构确定模型中,得到架构样本数据的测试指标数据;基于测试指标数据和与计算任务对应的架构样本数据的真实指...
徐奇李兵陈松康一
模拟电路对称约束确定方法、训练方法、装置及电子设备
本公开提供了一种模拟电路对称约束确定方法、训练方法、装置及电子设备,涉及人工智能和模拟电路技术领域。该方法包括:将待检测电路特征矩阵输入经训练的模拟电路对称约束提取模型,得到对称约束值,待检测电路特征矩阵是通过对待检测电...
徐奇王利杰陈松康一
基于机器学习的锡基钙钛矿薄膜晶体管优化方法及其装置
本发明提供了一种基于机器学习的锡基钙钛矿薄膜晶体管优化方法及其装置,可以应用于人工智能以及光电材料技术领域。该基于机器学习的锡基钙钛矿薄膜晶体管优化方法包括:根据确定的锡基钙钛矿薄膜晶体管的工艺设计参数,确定初始候选点;...
胡芹徐奇管景睿李兵
一种3D芯片层间通孔布置方法
本发明涉及电子设计自动化领域,具体涉及一种3D芯片层间通孔布置方法。本发明将3D‑IC设计中层间通孔的部署进行建模,对于双层的3D‑IC将其建模为最优传输问题,对于多层的3D‑IC先将其建模为IMCMC问题,通过GPU使...
丁虎陈林徐奇
数据处理方法及电子设备
本公开提供了一种数据处理方法及电子设备。该数据处理方法包括:获取多媒体数据;利用忆阻器阵列处理多媒体数据,得到数据处理结果。其中,忆阻器阵列包括多个忆阻器,多个忆阻器的电导值是根据故障注入神经网络模型的模型参数确定的,故...
徐奇毕永天陈松康一
三维集成电路布图规划及可容错硅通孔规划算法研究
三维集成电路(Three Dimensional Integrated Circuit,3D IC)实现了多个器件层的垂直堆叠,且器件层间通过硅通孔(Through Silicon Via,TSV)进行连接,能显著地减小...
徐奇
关键词:三维集成电路布图规划热分析容错结构
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共1页<1>
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