林巍
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- 重离子辐照SiO_2/Si结构变温光致发光谱研究被引量：1
- 2016年
- 本文研究了重离子辐照前后SiO_2/Si结构光学性质的变化。实验选择初始能量为414 MeV,不同辐照总剂量的Sn离子,在室温下辐照氧化层厚度为36nm和90nm的SiO_2/Si结构。并在不同测试温度下获得了辐照前后SiO_2/Si结构的光致发光谱(PL)谱。在相同的测试温度下,随着辐照总剂量的改变,峰位发生了移动,峰的强度也发生了改变;在相同的辐照总剂量下,随着测试温度的改变,峰位发生移动。由于受束缚激子发光的影响,在测试温度为80K时出现了一个新的光致发光峰。
- 马瑶龚敏刘鑫胥鹏飞林巍冷宏强
- 关键词：重离子
- 高k介质栅材料电子辐照下的红外研究
- 2018年
- 本文研究了SiO_2/Si、SiNX/Si、Al_2O_3/Si这三种具有不同介电常数(k)栅介质材料结构在1.7 MeV电子辐照前后的傅里叶红外光谱。随着辐照剂量的增大,三种结构的吸收峰强度均随之减小,其振动模式受到影响。电子辐照SiO_2/Si结构后,振动吸收峰随着辐照剂量的增大,由Si-O-Si、Si-O键引起的伸缩振动吸收峰的位置向低波数移动。电子辐照SiNX/Si结构后,由Si-N键、Si-O键引起的伸缩振动吸收峰的位置向高波数移动。电子辐照Al_2O_3/Si结构后,由Al_2O_3的晶格振动,Al-O-Al键引起的伸缩振动吸收峰的位置向高波数移动。吸收峰的变化为电子辐照不同介质材料引入的缺陷提供了新的信息。
- 林巍马瑶石瑞英傅廷龚敏
- 关键词：电子辐照FTIR
