滕龙
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- MOCVD生长温度对InGaN薄膜性质的影响
- 本文使用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石(α-A1_2O_3)衬底上的未掺杂六方In_xGa_(1-x)N/GaN双层薄膜,其生长温度在780℃至830℃之间递变。In_xGa_(1-x)N外延层生长在...
- 滕龙郑有蚪张荣谢自力刘斌陶涛张曌李烨操陈鹏韩平
- GaN电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析被引量：1
- 2012年
- 通过分别改变电感耦合等离子体(ICP)刻蚀过程中的ICP功率和DC偏压,对ICP刻蚀GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究。刻蚀后表面的损伤和形貌通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子能谱(EDS)、荧光光谱(PL)等技术进行表征和分析。实验结果表明,刻蚀速率随ICP功率和DC偏压的增加而增加;刻蚀损伤与DC偏压成正比,而与ICP功率的关系较为复杂。实验中观测到刻蚀后GaN样品的荧光光谱带边发射峰和黄带发射峰的强度均有明显下降,这意味着刻蚀产生的缺陷中存在非辐射复合中心,并且该非辐射复合中心的密度与DC偏压成正比。为了兼顾高刻蚀速率和低刻蚀损伤,建议使用高ICP功率(>450 W)和低DC偏压(<300 V)进行ICP刻蚀。
- 滕龙于治国杨濛张荣谢自力刘斌陈鹏韩平郑有炓施毅
- 关键词：功率
- 富In组分的InGaN合金组分及温度对声子模特性的影响
- 2013年
- 采用MOCVD方法在GaN/α-Al2O3(0001)衬底上生长获得了InGaN合金薄膜。X射线衍射(XRD)谱仅观察到In-GaN(0002)和GaN(0002)的衍射峰,表明InGaN与GaN均具有单晶C向的六方纤锌矿结构,利用衍射角度计算出InxGa1-xN薄膜的合金In组分x范围为0.34≤x≤1。室温下拉曼散射光谱测量发现,该系列InxGa1-xN合金的A1(LO)与E2(high)声子模峰位随着In组分x的增加均向低波速移动,并且峰位随组分的关系满足单模模式的变化规律。变温(93～673K)测量的拉曼散射光谱显示,InGaN的A1(LO)模峰位随着测量温度的升高向低波速非线性地偏移,该现象是由于晶格热膨胀和格点的非简谐振动的温度效应共同作用引起的。
- 李烨操胡海楠刘斌张荣滕龙庄喆谢自力陈敦军郑有炓陈强俞慧强
- 关键词：INGAN拉曼散射声子模温度
- 利用X射线衍射研究Mg掺杂的InN的快速退火特性被引量：2
- 2013年
- 研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型,利用X射线衍射(XRD)技术,对样品的对称面和非对称面做ω扫描,并且通过倒异空间图(RSM)扫描,拟合得到了刃位错与螺位错密度,并且根据在不同快速退火温度条件下位错密度的比较,同时结合迁移率的测量结果,发现快速退火温度采用400℃能有效地提高晶体的质量。原因在于快速退火能有效地激活Mg原子活性,降低材料中的载流子浓度,同时快速退火采用的氮气气氛能补偿部分起施主作用的氮空位,降低材料中载流子浓度的同时也降低了缺陷。同时,(002)面的摇摆曲线半峰全宽(FWHM)也很好地验证了所得结果。
- 王健谢自力张韵滕龙李烨操曹先雷丁煜刘斌修向前陈鹏韩平施毅张荣郑有炓
- 关键词：快速退火X射线衍射氮化铟
