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聂卫东

作品数：5 被引量：5H指数：2
供职机构：江南大学数字媒体学院更多>>
发文基金：国家科技重大专项江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 1篇带隙基准
  • 1篇低功耗
  • 1篇电路设计
  • 1篇信噪比
  • 1篇亚微米
  • 1篇整流
  • 1篇失配
  • 1篇同步降压
  • 1篇同步降压型
  • 1篇同步整流
  • 1篇自适
  • 1篇自适应
  • 1篇微米
  • 1篇温度系数
  • 1篇滤波器
  • 1篇滤波器设计
  • 1篇埋层
  • 1篇结型
  • 1篇结型场效应

机构

  • 5篇江南大学
  • 4篇东南大学
  • 2篇微电子有限公...
  • 1篇无锡华润上华...
  • 1篇无锡友达电子...

作者

  • 5篇聂卫东
  • 3篇吴金
  • 2篇于宗光
  • 1篇渠宁
  • 1篇董怀朋
  • 1篇李冰
  • 1篇李浩
  • 1篇张怡
  • 1篇王德进
  • 1篇常昌远
  • 1篇刘迎迎
  • 1篇韩海青
  • 1篇李晓蒙

传媒

  • 2篇电子与封装
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
夹断电压可调的高压结型场效应管
2014年
基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源反偏引起的底部耗尽共同作用结果,故夹断电压可受J-FET的栅电位调制。同时通过改变高压J-FET的P型埋层(P-buried)掩膜窗口的大小和间距,来改变P-buried和N-well的杂质浓度分布,达到改变J-FET夹断电压的目的。在不增加工艺步骤和改变原有工艺条件的情况下,通过实验得到击穿电压大于700V,夹断电压在8V和17V之间可自由调整的高压J-FET器件。该器件可以作为启动器件和供电模块的线性调整器件使用。由于其夹断电压受P-buried注入版图尺寸的影响,同时受栅电位调制,所以可以满足线路设计者的不同要求。
聂卫东朱光荣易法友于宗光
一种低功耗64倍降采样多级数字抽取滤波器设计被引量：2
2010年
经典多级结构的数字抽取滤波器占用系统大量的功耗与面积资源,文章设计的改进型64倍降采样数字抽取滤波器采用由级联积分梳状滤波器、补偿FIR滤波器和半带滤波器组成,在保持Σ-ΔADC转换精度的约束下,实现了最大程度降低系统功耗与面积的设计目标。在多级级联积分梳状(CIC)滤波器的设计中,充分运用置换原则以优化各级级数并采用非递归结构实现方式,同时将多相结构运用到补偿滤波器与半带滤波器中,获得电路功耗与面积的明显降低。将Σ-Δ调制器输出信号作为测试激励,通过Matlab系统仿真、FPGA验证与FFT信号分析,得到的输出数据信噪比达到15bit有效位数精度,且系统速度满足要求。
梅海军吴金聂卫东张怡李晓蒙
关键词：CIC滤波器功耗信噪比
基于失配控制的非线性补偿带隙基准电路设计被引量：3
2011年
在一阶线性补偿基准非线性温度特性分析基础上,提出了利用基准电路内部可控非线性失调电压实现高阶补偿的方法,即利用3路互偏结构代替传统基准电路中的2路自偏置结构,在宽温度范围内,理想状态下的基准温度系数相比一阶线性补偿明显降低.与其他类型的分段高阶补偿相比,基于失配补偿的带隙基准不仅结构简单,而且工艺稳定性更好.基于CSMC 0.18μmCMOS工艺完成了该基准电路的MPW验证,在-20～120℃温度范围内,基准温度系数的测试结果最低为6.2×10-6/℃.基于理论与实测结果误差产生原因的分析,提出了电阻修调以及面积功耗折中方面的改进措施.
吴金聂卫东常昌远渠宁李浩
关键词：带隙基准非线性补偿温度系数
过零电流自动切换的同步降压型DC-DC变换器
2013年
设计了一种基于自适应导通时间(Adaptive On Time,AOT)控制的同步降压型DC-DC变换器。在重载工作时频率近乎恒定,在轻载工作时频率随负载变化,以此实现整个负载范围内的高效率。同时,该DC-DC变换器采用内置MOS管的同步整流方式,提高了转换器的效率。在DCM状态下电流过零时,通过检测同步整流下管漏端的负电位,提早关断同步整流MOS下管,电流自动切换到寄生的二极管,防止过零时电流反灌。芯片采用韩国东部0.35μm BCD工艺投片验证,给出了详细的测试结果。
聂卫东刘迎迎韩海青董怀朋吴金于宗光
关键词：同步整流
亚微米BiCMOS电路纵向NPN管的ESD保护研究
2008年
文章以0.6μmN外延BiCMOS工艺为基础,研究了纵向NPN管的ESD保护行为,并对不同版图结构的纵向NPN管进行了ESD行为研究。实验表明,由于基区的内在电阻不一样,在该工艺条件下,CEB、CEBE结构比CBE、CBEB结构SNAPBACK效应明显,机器模式下ESD保护能力强。此外,还研究了兼容低压Vz工艺,单级保护NMOS输出管的纵向NPN器件的ESD行为,流片显示采用EB结齐纳击穿的纵向NPN能有效单级保护CMOS的输出级。
王德进聂卫东张炜李冰
关键词：ESD保护
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