高国平
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 纵向NPN管ESD保护结构的设计与分析
- 2012年
- 针对一种5V0.6μm BiCMOS工艺的纵向NPN管,设计了ESD保护结构。为了克服传统纵向NPN管ESD自触发结构触发电压较高的缺陷,提出一种带P+/N阱二极管的改进型自触发ESD结构,利用NPN管集电极与基极之间的寄生电容和二极管作为电容耦合元件。流片及测试结果表明,该保护结构的触发电压得到有效降低,且抗ESD能力超过4kV的人体模型。
- 柯逸辰高国平顾晓峰
- 关键词：BICMOS
- 宽带低噪声放大器与ESD防护的协同设计被引量：1
- 2013年
- 基于0.18μm CMOS工艺,介绍了一种UHF频段低噪声放大器(LNA)与静电放电(ESD)保护器件的协同设计和电路仿真方法。采用传输线脉冲测试系统,测得ESD二极管的正向热失效击穿电流为4.28A,等效于人体模型5.6kV;反向热失效击穿电流为0.2A,等效于人体模型500V。通过仿真,分析了ESD二极管的电阻、电容特性,给出了其在LNA正常工作情况下的等效电路;结合LNA电路仿真结果,比较了二极管寄生效应对LNA阻抗匹配、增益、噪声系数和线性度等指标的影响,验证了等效电路的正确性。
- 柯逸辰顾晓峰朱科翰高国平
- 关键词：低噪声放大器静电放电二极管
- 基于BJT的ESD保护器件中维持电压的建模与分析被引量：1
- 2012年
- 基于双极晶体管（BJT）结构的静电放电（ESD）保护器件具有双向导通特性和良好的保护性能,在ESD保护中应用广泛。鉴于该类器件在负阻效应下维持电压的产生机理和建模方面的研究较少,提出了一种维持电压的数学建模方法。首先分析了多种调制效应对维持电压的影响,优化了模型参数;其次,基于0.6μm BiCMOS工艺对NPN型BJT的结构及电学性能进行了仿真分析,通过数据拟合得到了维持电压的估算模型;最后,制备了两种不同结构的样品并进行了测试,实测数据与估算值的相对误差范围约12%-15%,表明建立的维持电压模型具有较高的可靠性。
- 梁海莲杨兵顾晓峰柯逸辰高国平
- 关键词：静电放电双极晶体管负阻效应调制效应
