张斌
- 作品数：7 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 2 GHz~6 GHz宽带高效率功率放大器芯片
- 2023年
- 设计一种采用4英寸0.25μm氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)工艺、工作频率在2 GHz~6 GHz的宽带GaN单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit,MMIC)功率放大器芯片。设计过程中采用两级放大结构来提升功率增益,并采用有耗匹配结构进行阻抗匹配。在栅极Vg=-2 V,漏极电压Vd=28 V的连续波测试条件下,实际测得的饱和输出功率大于5 W,功率附加效率大于45%,功率增益大于24 dB。
- 张斌范悬悬刘帅银军
- 关键词：宽带氮化镓连续波
- 可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置
- 本发明适用于集成电路设计技术领域，提供了一种可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置，上述可变增益放大器包括：第一负载模块、第二负载模块、第三负载模块及至少两个放大模块；所述第一负载模块的阻值和所述第二负载模块的阻值相同...
- 王绍权王鑫白银超赵瑞华王磊李丰徐永祥王硕王晟苏晓晨张斌李超韩猛王亚君
- 文献传递
- 基于宽带传输的BGA陶瓷垂直互联结构及管壳
- 本发明提供了一种基于宽带传输的BGA陶瓷垂直互联结构及管壳，属于电子封装技术领域，包括陶瓷介质、上金属板、下金属板、多个接地焊球以及射频信号功能焊球，陶瓷介质设有射频信号垂直过渡孔和两排对称分设的接地垂直过渡孔；上金属板...
- 朱春雨李萌白银超要志宏王晟杨阳阳徐召华张斌李群春郭彬赵晞文马喜梅赵素燕张皓
- 可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置
- 本实用新型适用于集成电路设计技术领域，提供了一种可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置，上述可变增益放大器包括：第一负载模块、第二负载模块、第三负载模块及至少两个放大模块；所述第一负载模块的阻值和所述第二负载模块的阻值...
- 王绍权王鑫白银超赵瑞华王磊李丰徐永祥王硕王晟苏晓晨张斌李超韩猛王亚君
- 基于宽带传输的BGA陶瓷垂直互联结构及管壳
- 本发明提供了一种基于宽带传输的BGA陶瓷垂直互联结构及管壳，属于电子封装技术领域，包括陶瓷介质、上金属板、下金属板、多个接地焊球以及射频信号功能焊球，陶瓷介质设有射频信号垂直过渡孔和两排对称分设的接地垂直过渡孔；上金属板...
- 朱春雨李萌白银超要志宏王晟杨阳阳徐召华张斌李群春郭彬赵晞文马喜梅赵素燕张皓
- 文献传递
- 2-18 GHz 10 W GaN HEMT非均匀分布式功率放大器被引量：7
- 2016年
- 基于0.25μm GaN双场板（DFP）高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,研制了一款2-18 GHz连续波输出功率大于10 W的功率放大器微波单片集成电路（MMIC）。MMIC中的功率器件采用源场板接地减少强电场引起的功率器件退化,提高了功率器件的击穿电压,并提取了功率器件的可定标大信号器件模型参数;基于非均匀分布式结构,利用ADS软件分别优化MMIC中10个功率器件的最佳栅宽和负载阻抗,MMIC的输入输出匹配阻抗为50Ω;采用电磁场仿真技术优化设计的MMIC芯片尺寸为4.9 mm×2.4 mm。在栅压（Vgs）为-2.4 V、漏压（Vds）为28 V、输入功率（Pin）为30 d Bm的条件下,MMIC在2-18 GHz频带内连续波饱和输出功率大于40 d Bm,功率附加效率大于25%。
- 冯威刘帅张斌
- 基于GaAs PHEMT的Ku波段宽带单片中功率放大器被引量：5
- 2011年
- 设计并实现了一款Ku波段宽带单片中功率放大器,依据电路原理设计了功率放大器电路,利用ADS软件对设计的电路和版图分别进行了电学参数优化与电磁仿真。放大器采用0.25μm栅长的GaAs PHEMT作为有源器件,芯片衬底减薄至80μm,采用了NiCr金属膜电阻、重叠式MIM(金属-绝缘体-金属)电容器、空气桥连接和背面通孔接地等工艺技术。放大器芯片输入输出端口匹配到50Ω。微波性能测试结果表明,单片放大器的工作频率为13～18GHz,功率增益19dB,饱和输出功率29dBm,功率附加效率30%。
- 刘如青高学邦崔玉兴张斌
- 关键词：KU波段功率放大器单片
