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徐成翔

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：南京信息职业技术学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇滋生
  • 1篇晶圆
  • 1篇晶圆级封装
  • 1篇化学镀
  • 1篇封装
  • 1篇TSV
  • 1篇镍
  • 1篇CIS

机构

  • 1篇南京信息职业...

作者

  • 1篇董西英
  • 1篇徐成翔

传媒

  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于TSV技术的CIS芯片晶圆级封装工艺研究被引量：3
2011年
基于TSV技术的封装技术是目前MEMS产品、存储器、3D IC封装中的高端和热点技术.本文论述了在国内处于领先并正在量产化研究阶段的基于TSV技术的CIS芯片晶圆级封装工艺流程.通过理论分析和实验,重点研究了在封装流程中将铝刻蚀、去胶提前到金属镀覆之前的意义和所出现的镍滋生问题.研究表明,将铝刻蚀、去胶提前到金属镀覆之前可以缩短去胶时间,减少光刻胶的残留和金属镀覆层数;通过延长金属镀覆过程中每次UPW冲洗时间,在EN Ni中防止镀液结镍,并在镀锌时降低锌液的粘附性和镀锌后增加硝酸清洗步骤,即可消除镍滋生.以上研究对于提高封装效率和合格芯片率,降低成本是很有意义的.
董西英徐成翔
关键词：CISTSV化学镀
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