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黄园媛

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：华南师范大学更多>>
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相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇性能研究
  • 1篇金属诱导
  • 1篇金属诱导晶化
  • 1篇聚合物发光
  • 1篇聚合物发光二...
  • 1篇聚体
  • 1篇空穴
  • 1篇空穴注入
  • 1篇空穴注入层
  • 1篇光电
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇二极管
  • 1篇二聚体
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇非晶硅
  • 1篇非晶硅薄膜
  • 1篇NPD
  • 1篇PLED

机构

  • 2篇华南师范大学

作者

  • 2篇章勇
  • 2篇牛巧利
  • 2篇黄园媛
  • 1篇石培培
  • 1篇石培陪

传媒

  • 1篇光电子．激光
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
热交链NPD二聚体空穴注入层对PLED性能的改善
2011年
基于在PEDOT层上旋涂可热交链的NPD二聚体(VB-NPD)做空穴注入层实现高效率的聚合物发光二极管(PLED),采用的器件结构为ITO/PEDOT(40nm)/VB-NPD/PFBT5(40nm)/TPBI(20nm)/CsF(1nm)/Al(100nm)。通过调节VB-NPD层的厚度发现,当VB-NPD层的厚为20nm时,得到器件的最大发光效率和最大亮度分别为15.0cd/A和32200cd/cm2。改善的器件性能归为VB-NPD层对电子的有效阻挡和形成级联式的PEDOT/VB-NPD空穴注入。
章勇黄园媛石培陪牛巧利
关键词：NPD空穴注入层
金属镍诱导p型多晶硅薄膜的光电性能研究
2011年
利用电子束蒸镀方法及重掺杂p型硅为蒸发源在K8玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜,采用镍诱导晶化法在氮气氛围下进行退火处理制备出p型多晶硅薄膜。研究了不同温度热处理条件对p型多晶硅薄膜的光电性能的影响,通过霍尔测量、拉曼光谱、原子力显微镜、紫外-可见光吸收光谱等测试手段对薄膜进行分析。结果表明,随着晶化温度的提高晶化程度先增强后减弱。优化晶化温度使30 nm厚p型多晶硅薄膜的方块电阻达到300Ω/□,在可见光范围的透射率超过10%。
黄园媛石培培牛巧利章勇
关键词：金属诱导晶化非晶硅薄膜
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