王晶晶
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- In_(0.17)Al_(0.83)N在碱性溶液中的化学湿法腐蚀行为研究
- 2013年
- 介绍了In0.17Al0.83N在质量分数10%的四甲基氢氧化铵(TMAH)碱性溶液中的腐蚀行为实验研究。通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察腐蚀样品,发现其腐蚀机理是起源于晶体中线位错缺陷的侧向腐蚀。这是由于线位错在In0.17Al0.83N晶体表面的交汇处与周围晶体相比,具有较高的化学不稳定性,容易被腐蚀,形成缺陷腐蚀坑。随着腐蚀的进一步发生,暴露在腐蚀液中的腐蚀坑侧壁,更容易受到腐蚀,造成了以侧向腐蚀为主的腐蚀。AFM和SEM观察到的大多数腐蚀坑是与InAlN晶体中的螺位错、刃位错或混合位错有关。这种腐蚀方法适合在宽禁带半导体制造中以InAlN为牺牲层的工艺上应用。
- 邢东冯志红王晶晶刘波尹甲运房玉龙
- 关键词：碱性溶液牺牲层
- Al沉积时间对Si衬底GaN材料的影响被引量：1
- 2011年
- 通过改变高温AlN形核层生长时提前通入TMAl的时间,分别在Si(111)衬底上生长了4个1μm厚的GaN样品,并对每个样品的GaN外延材料进行了分析研究。通过显微镜观察发现,Al的沉积时间为12 s时,GaN材料表面光亮,基本没有裂纹。另外通过喇曼谱和光荧光谱(PL)测试得出,随着生长初期Al沉积时间的增加(8～15 s),GaN外延层的水平应力逐渐减小(由1.28 GPa减小到0.67 GPa),Al的沉积时间为12 s时GaN外延材料的应力较小。同时,GaN材料(002)和(102)晶面的X射线衍射摇摆曲线表明,Al的沉积时间为12 s时GaN外延材料的晶体质量最好。
- 尹甲运刘波王晶晶李佳敦少博冯志红蔡树军
- 关键词：GAN喇曼光荧光谱硅衬底
- Si衬底GaN外延材料六角形缺陷分析
- 2010年
- 通过改变AlN形核层的生长温度分别在Si(111)衬底上生长了两个GaN样品,并对GaN外延材料表面的六角形缺陷进行了分析研究。通过显微镜和扫描电镜(SEM)观测发现,AlN形核层在高温下生长时,GaN材料表面会产生大量六角形缺陷。通过电子能谱(EDS)分析得出GaN六角形缺陷中含有大量的Si元素以及少量的Ga和Al元素,其中Si元素从Si衬底中高温扩散而来。在降低AlN形核层的生长温度后,GaN材料表面的六角形缺陷随之消失。表明AlN形核层在较低的温度下生长时可以有效地抑制Si衬底表面Si原子的扩散,减少外延层中由于衬底Si反扩散引起的缺陷。
- 尹甲运刘波王晶晶周瑞李佳敦少博冯志红
- 关键词：GAN温度SI衬底
- 电子级金刚石材料生长及其MESFET器件特性
- 2013年
- 采用直流电弧喷射法制备了电子级自支撑金刚石材料。采用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察金刚石膜表面形貌,用Raman光谱仪和X射线衍射仪进行晶体分析及表征,结果表明,金刚石薄膜为(110)择优取向,厚度均匀,电学性能稳定。研究了抛光转速和压力对金刚石膜抛光效率的影响,抛光处理后金刚石表面粗糙度(R ms)为0.569 nm。采用氢等离子体处理方法对该样品进行处理形成p型表面沟道,并采用自对准工艺制作出具有射频特性的金刚石场效应晶体管,其饱和电流密度为330.9 mA/mm,电流截止频率f T为9.3 GHz,最大振荡频率f max为18.5 GHz。
- 王晶晶何泽召宋旭波张平伟郭辉冯志红蔡树军
- 关键词：多晶金刚石射频特性抛光速率
- GaN基HEMT器件可靠性研究
- 可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键，逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一。本文根据逆压电效应导致器件退化机理，从弹性势能的角度出发，对低Al组分AlGaN势垒层、InAl势垒层和AlGaN背...
- 房玉龙敦少博尹甲运刘波刑东王晶晶冯志红蔡树军
- 关键词：微波器件逆压电效应材料结构
- 文献传递
