吕勇
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势被引量：8
- 2011年
- 从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠以及脉冲应用等方向发展。
- 王佃利刘洪军吕勇严德圣盛国兴王因生蒋幼泉
- 关键词：硅射频功率
- Si腐蚀工艺的优化
- 2014年
- 腐蚀Si时工艺顺序不同,得到的Si片表面状态也不同,导致器件的反向泄漏电流不同。通过工艺试验研究,获得了优化的腐蚀Si工艺条件,得到了平整的Si表面,从而提高了器件的可靠性与生产的成品率。
- 吕勇王佃利盛国兴蒋幼泉
- 关键词：硅
- 2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管被引量：3
- 2017年
- 针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率、100μs脉宽、20%占空比、18W输入功率的测试条件下,输出功率大于2 000 W,增益大于20.4dB,漏极效率大于66.2%,抗失配通过10∶1。
- 应贤炜王佃利李相光梅海吕勇刘洪军严德圣杨立杰
- 关键词：微波功率晶体管
- 870-1OOO MHz 360W硅微波脉冲大功率管
- 报道了L波段低端短脉宽360w硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在上述频带内，脉宽10μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于360...
- 王因生王志楠丁晓明严德胜戴学梅吕勇
- 关键词：微波晶体管结构特征技术创新
