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吴卓鹏

作品数:11 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:上海市“科技创新行动计划”国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域:电气工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 9篇电池
  • 9篇太阳电池
  • 6篇非晶硅
  • 3篇异质结
  • 3篇异质结太阳电...
  • 3篇
  • 2篇带隙
  • 2篇等离子体
  • 2篇钝化
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子寿命
  • 2篇少子寿命
  • 2篇气相沉积
  • 2篇热辐射
  • 2篇热丝
  • 2篇结晶化
  • 2篇晶体硅
  • 2篇晶体硅太阳电...
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积

机构

  • 11篇中国科学院
  • 3篇中国科学院大...

作者

  • 11篇吴卓鹏
  • 9篇刘正新
  • 8篇张丽平
  • 7篇陈仁芳
  • 4篇孟凡英
  • 4篇刘文柱
  • 1篇杜俊霖
  • 1篇张家辉

传媒

  • 2篇太阳能学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
几何设计对球硅太阳电池性能影响的有限元仿真
2021年
基于COMSOL软件的光学模块和半导体模块,从球缺比例、直径、正电极接触面积三个几何设计方面对球硅电池进行了仿真分析;通过对比反向饱和电流密度和理想因子,发现球硅半径越小、球缺比例越小、正电极相对接触面积越大,电池的电学特性越好;分析了不同直径球硅电池的几何特征与其光电参数之间的关联性,发现其与传统平面硅太阳电池存在显著差异。研究结果可为制作高效率低成本柔性球硅太阳电池提供理论指导。
张家辉刘文柱刘文柱吴卓鹏刘正新
关键词:能量转换效率
氢注入在硅异质结太阳电池a-Si:H窗口层中的研究被引量:1
2021年
基于热丝化学气相沉积(Cat-CVD)系统开展氢注入对超薄(<10 nm)氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜特性改善的研究,发现适当的氢注入可提高薄膜内的氢含量、降低其微结构因子并展宽其光学带隙。将该方法用于处理硅异质结(SHJ)太阳电池入光侧的本征非晶硅(i-a-Si:H)及N型非晶硅(n-a-Si:H)薄膜钝化层,可显著提升晶体硅的表面钝化质量。通过使用AFORSHET软件模拟SHJ太阳电池入光面的界面缺陷及n-a-Si:H体缺陷对电池性能的影响,分析得到:将氢注入用于处理a-Si:H窗口层,SHJ太阳电池性能的提升源于电池入光侧界面及a-Si:H体材料的结构改善。电池的开路电压(Voc,728.4~736.1 mV)、短路电流密度(Jsc,37.99~38.20 mA/cm2)、填充因子(FF,79.67%~81.07%)及转换效率(Eff,22.04%~22.79%)均得到明显提升。
陈仁芳张丽平张丽平李振飞吴卓鹏刘正新
关键词:非晶硅薄膜缺陷态
不连续结晶硅基薄膜、异质结晶体硅太阳电池及制备方法
本发明提供一种不连续结晶硅基薄膜、异质结晶体硅太阳电池及制备方法,不连续结晶硅基薄膜制备包括:提供一晶体硅衬底;于晶体硅衬底的至少一个表面沉积不连续结晶硅基薄膜,其包括无定形硅基结构和结晶化硅基结构。通过上述方案,本发明...
张丽平刘正新陈仁芳吴卓鹏
文献传递
热丝温度对Cat-doping后处理的SHJ太阳电池钝化性能的影响
李振飞张丽平刘文柱吴卓鹏刘正新
非晶薄膜后氢化处理方法及硅异质结太阳电池制备方法
本发明提供一种非晶薄膜的后氢化处理方法及硅异质结太阳电池制备方法,后氢化处理方法包括:提供一待处理非晶薄膜,并将其置于一设置有热丝的反应腔室中;向反应腔室中通入反应气体,热丝催化分解反应气体至少产生氢原子,并对待处理非晶...
刘正新陈仁芳张丽平吴卓鹏李振飞
文献传递
基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置
本发明提供一种基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置,生长方法包括以下步骤:1)提供沉积衬底及磁场生成单元,将所述沉积衬底置于所述磁场生成单元生成的磁场内,且保证所述磁场生成单元生成的磁场与所述沉积衬底的表面相平行;...
刘文柱陈仁芳吴卓鹏张丽平孟凡英刘正新
文献传递
单晶硅片表面微纳复合结构制备及光特性研究
2021年
采用金属辅助化学刻蚀方法(MACE),在常规碱溶液制备的金字塔表面制备表面形貌良好、反射率低的硅纳米线微结构。详细探究Ag辅助刻蚀的反应过程和反应机理,基于FDTD Solutions仿真软件模拟分析,微米金字塔-纳米线复合结构在减少宽波段和广角度范围的反射率方面比金字塔结构更具有优异性,并在实验上进行相关验证分析,此外对纳米线的刻蚀速率和生长方向也进行研究。
刘勇武杜俊霖吴卓鹏孟凡英
关键词:太阳电池单晶硅片湿法刻蚀纳米线
基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置
本发明提供一种基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置,生长方法包括以下步骤:1)提供沉积衬底及磁场生成单元,将所述沉积衬底置于所述磁场生成单元生成的磁场内,且保证所述磁场生成单元生成的磁场与所述沉积衬底的表面相平行;...
刘文柱陈仁芳吴卓鹏张丽平孟凡英刘正新
非晶薄膜后氢化处理方法及硅异质结太阳电池制备方法
本发明提供一种非晶薄膜的后氢化处理方法及硅异质结太阳电池制备方法,后氢化处理方法包括:提供一待处理非晶薄膜,并将其置于一设置有热丝的反应腔室中;向反应腔室中通入反应气体,热丝催化分解反应气体至少产生氢原子,并对待处理非晶...
刘正新陈仁芳张丽平吴卓鹏李振飞
文献传递
不连续结晶硅基薄膜、异质结晶体硅太阳电池及制备方法
本发明提供一种不连续结晶硅基薄膜、异质结晶体硅太阳电池及制备方法,不连续结晶硅基薄膜制备包括:提供一晶体硅衬底;于晶体硅衬底的至少一个表面沉积不连续结晶硅基薄膜,其包括无定形硅基结构和结晶化硅基结构。通过上述方案,本发明...
张丽平刘正新陈仁芳吴卓鹏
共2页<12>
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