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赵立欢
作品数:
19
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供职机构:
北京工业大学
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
文化科学
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合作作者
高志远
北京工业大学
邹德恕
北京工业大学
张洁
北京工业大学
李江江
北京工业大学
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紫外探测器
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机构
19篇
北京工业大学
作者
19篇
赵立欢
18篇
邹德恕
18篇
高志远
16篇
张洁
2篇
李江江
年份
1篇
2022
1篇
2021
3篇
2020
3篇
2019
6篇
2018
5篇
2017
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一种可定制的高增益ZnO纳米线阵列紫外探测器及其制备方法
一种可定制的高增益ZnO纳米线阵列紫外探测器及其制备方法,涉及微电子工艺技术、纳米技术与紫外探测领域。本发明中,基于协同学理论,在涨落不稳定时,纳米线之间会彼此争夺反应溶质,在这种竞争机制下,种子层越薄,所需的溶质资源越...
薛晓玮
李江江
高志远
邹德恕
张洁
赵立欢
文献传递
一种可定制的高增益ZnO纳米线阵列紫外探测器及其制备方法
一种可定制的高增益ZnO纳米线阵列紫外探测器及其制备方法,涉及微电子工艺技术、纳米技术与紫外探测领域。本发明中,基于协同学理论,在涨落不稳定时,纳米线之间会彼此争夺反应溶质,在这种竞争机制下,种子层越薄,所需的溶质资源越...
薛晓玮
李江江
高志远
邹德恕
张洁
赵立欢
文献传递
一种基于斜向ZnO纳米线阵列调制的AlGaN/GaN紫外探测器及其制备方法
本发明提供了一种基于斜向ZnO纳米线阵列调制的AlGaN/GaN紫外探测器,包括无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管和生长在无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极区域的斜向ZnO纳米线阵列;所述无栅的AlG...
高志远
赵立欢
薛晓玮
张洁
邹德恕
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纹理衬底增强柔性器件在机械应力下的电学稳定性
纹理衬底增强柔性器件在机械应力下的电学稳定性,涉及半导体技术领域。本发明以柔性ZnO纳米线阵列紫外探测器为示范性验证,研究衬底形貌对柔性电子器件机械应力作用下电学稳定性的影响。相对于平滑的有机薄膜,存在纹理结构的有机薄膜...
高志远
赵立欢
张洁
陆利伟
邹德恕
文献传递
一种基于斜向ZnO纳米线阵列调制的AlGaN/GaN紫外探测器及其制备方法
本发明提供了一种基于斜向ZnO纳米线阵列调制的AlGaN/GaN紫外探测器,包括无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管和生长在无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极区域的斜向ZnO纳米线阵列;所述无栅的AlG...
高志远
赵立欢
薛晓玮
张洁
邹德恕
文献传递
一种高感光面积的斜向ZnO纳米线/GaN异质结太阳能电池
一种高感光面积的斜向ZnO纳米线/GaN异质结太阳能电池,涉及半导体技术领域。所述斜向ZnO纳米线为n型;所述GaN层为半极性面(11‑22)的GaN外延层,包括掺Mg的p型GaN层和生长在m面Al<Sub>2</Sub...
高志远
赵立欢
张洁
薛晓玮
邹德恕
柔性背照全透式纳米紫外焦平面探测器芯片
柔性背照全透式纳米紫外焦平面探测器芯片,涉及紫外焦平面探测器技术领域。在具有周期性纹理的聚酰亚胺柔性衬底上制备紫外探测器阵列,每个探测器作为感光像元。每个像元器件包括两个独立平行对称的ZnO薄膜,其上为金属电极薄膜。所述...
高志远
赵立欢
张洁
薛晓玮
邹德恕
一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED及制备方法
一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED及制备方法,涉及半导体的技术领域。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列,提高LED的光取出率和发光面积,实现在蓝紫光波段的高效发光。其中,半极性面(11...
高志远
赵立欢
张洁
薛晓玮
邹德恕
一种氮气封装提高ZnO纳米线紫外探测器稳定性的方法
本发明涉及紫外探测技术领域与纳米材料技术领域,具体涉及一种氮气封装提高ZnO纳米线紫外探测器稳定性的方法,包括以下步骤:将ZnO纳米线紫外探测器用导电胶固定于金属管底座上,然后用修饰液进行修饰;将固定于金属管底座上的Zn...
高志远
张洁
赵立欢
邹德恕
陆利伟
文献传递
一种控制横向ZnO纳米线阵列紫外探测器均匀性的方法
一种控制横向ZnO纳米线阵列紫外探测器均匀性的方法,涉及纳米技术与紫外探测技术领域。本发明利用水热法技术,基于二氧化硅衬底、种子层、台阶之间的相互作用,通过依次调整二氧化硅衬底种类、台阶处坡度、种子层厚度、溶液生长浓度和...
高志远
张洁
薛晓玮
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