张益君
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程更多>>
- 50-170keV质子照射对GaAs／Ge太阳能电池光谱响应的影响被引量：3
- 2008年
- 用固定能量(100 keV)不同注量(1×10^(11)-3×10^(12)cm^(-2))或固定注量(3×10^(12)cm^(-2))不同能量(50-170 keV)的质子,照射GaAs/Ge太阳电池,获得材料的光谱响应特性随质子能量和注量的变化关系。结果表明,质子辐照对材料的光学性能有破坏性的影响。这种破坏性源于质子辐照引入的大量缺陷,使品格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加。在质子能量相同的条件下,电池光学性能衰降随照射注量增大;在注量相同的条件下,辐射能量越高,太阳电池光学性能衰降越大。
- 赵慧杰何世禹肖志彬孙彦铮肖景东张益君
- 质子辐射下GaAs/Ge太阳电池的性能退化被引量：1
- 2007年
- 对GaAs/Ge太阳电池进行了质子辐射实验。质子辐射的能量为70～170keV,辐射的剂量为1×109～3×1012cm-2。研究结果表明,GaAs/Ge太阳电池具有一定的抗辐射性能;能量小于200keV的质子辐射中,质子辐射能量相同条件下,随辐射剂量的增加,电池性能参数短路电流Isc、开路电压Uoc、最大功率Pm和填充因子FF衰降增大;质子辐射剂量相同条件下,辐射能量越高,太阳电池性能衰降越大;在所有测试参数中,最大功率Pm的退化最为明显。
- 赵慧杰肖景东吕伟孙彦铮张益君何世禹
- 关键词：GAAS/GE太阳电池
