王健
- 作品数：11 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信理学文化科学建筑科学更多>>
- 共振声子THz QCL有源区结构设计
- 2011年
- 利用Airy函数代换与传输矩阵方法精确计算了有外加偏压下电子在共振声子太赫兹量子级联激光器有源区单个周期内的透射系数与波函数,得到了不同偏压下的电子波函数分布以及准束缚态能级位置与外加偏压的关系曲线。在仿真计算的基础上设计了一种共振声子太赫兹量子级联激光器的有源区结构。计算结果表明,对于设计的结构,当单个周期两端的外加偏压为45 mV时达到太赫兹工作点。此时,发射区内E3能级和E2能级对应的波函数能够交叠,相应发射波属于太赫兹频段,波长为98.0μm,频率为3.05 THz。电子在弛豫区内E2和E1能级间跃迁发出的能量为36.0 meV,与GaAs的纵向光学声子能量(36 meV)相同,有利于粒子数反转。
- 牛晨亮王健王建峰师巨亮韩颖夏英杰孙保瑞
- 关键词：粒子数反转
- 微同轴结构的制备方法及微同轴结构
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构，微同轴结构的制备方法包括：制备第一结构，制备第二结构，连接所述第一结构和所述第二结构，其中，所述第一结构的外导体中层外墙层与所述第二结构的外导体上层...
- 史光华徐达常青松周彪王健杨阳阳
- 文献传递
- 微同轴结构的制备方法及微同轴结构
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构，微同轴结构的制备方法包括：制备第一结构，制备第二结构，连接所述第一结构和所述第二结构，其中，所述第一结构的外导体中层外墙层与所述第二结构的外导体上层...
- 史光华徐达常青松周彪王健杨阳阳
- 文献传递
- 混合型多芯片组件及其制备方法
- 本发明适用于微电子技术领域，提供了一种混合型多芯片组件及其制备方法，混合型多芯片组件包括：基板；所述基板上表面设有液晶聚合物层；所述液晶聚合物层中设有电路互连孔，所述电路互连孔贯穿所述液晶聚合物层；所述液晶聚合物层的电路...
- 史光华徐达常青松王健周彪李仕俊白锐郭旭光杨阳阳王真
- 文献传递
- 太赫兹量子级联激光器注入区结构研究被引量：1
- 2015年
- 主要研究了THz量子级联激光器注入区结构的隧穿特性。通过量子力学方程设计出透射率最大的注入区结构。模拟结果表明,周期间势垒宽度为4.7 nm时,注入区的透射率最大。对于含有此注入区的QCL结构,模拟了在不同偏压下,电子波函数的空间分布和能级位置,进而模拟出该模型的隧穿点。计算结果表明,当每个周期两端的外加偏压为45 mV时达到THz工作点,同时满足周期间的电子隧穿条件。之后通过器件工艺,把外延片制作成实验样品。电流电压(I-V)测试曲线表明,在周期间偏压为50 mV时发生隧穿,这和理论计算的周期偏压为45 mV十分接近。
- 王健牛晨亮王建峰师巨亮韩颖夏英杰孙保瑞
- 关键词：隧穿透射率波函数能级
- 一种碳化硅紫外雪崩光电探测器及组件
- 本发明提供一种碳化硅紫外雪崩光电探测器及组件，该探测器包括：碳化硅衬底，以及在碳化硅衬底上、自下而上依次外延生长的缓冲层、倍增层、电荷层、渐变层、吸收层和接触层；渐变层的掺杂浓度自下而上依次减小，其中，吸收层的掺杂浓度低...
- 郝文嘉房玉龙芦伟立李帅王健李建涛王波陈宏泰牛晨亮
- 一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片
- 本申请提供一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片。该方法包括：利用MOCVD技术，将碳化硅衬底放入载气为第一载气、Ga源为第一Ga源、氧源为氧气的反应室，并升温至第一预设温度，进行第一预设时长的外延生长，以在碳化...
- 芦伟立房玉龙郝文嘉李帅王健高楠张志荣王波陈宏泰
- 不对称势垒对共振隧穿二极管I-V特性的影响
- 2010年
- 利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和器件工艺制作得到了共振隧穿二极管的直流I-V特性。在峰值电流密度为132kA/cm2下,获得了17.84的电流峰谷比。测试结果还表明不对称势垒厚度的RTD在偏压情况下,当电子从较薄势垒向较厚势垒穿透时,更容易获得高的电流峰谷比,反之可获得较大的负微分电阻电压区域。
- 武一宾杨瑞霞商耀辉牛晨亮王健
- 用于3mm器件的GaAsPHEMT外延材料
- 2015年
- 开发出一种适用于3mm功率器件的新沟道结构的GaAs PHEMT外延材料。分析了提高电子迁移率的途径,讨论了InGaAs电子有效质量和In组分的关系,参考InP HEMT结构的迁移率和沟道电子有效质量推算了InGaAs沟道的In组分范围;通过计算沟道内二维量子态浓度和临界厚度设计了沟道厚度。在MBE生长过程中通过工艺调整改善了高In组分沟道的晶体质量和界面平整度,降低了散射概率,设计并生长了不同沟道In组分和厚度组合的GaAs PHEMT材料,根据霍尔测试结果进行微调后室温霍尔迁移率和二维电子气(2DEG)浓度分别达到9 080 cm2/(V·s)和3.61×1012 cm-2。3mm功放器件结果:输出功率为21dBm,29 GHz下功率增益为8 dB,饱和电流为400 mA/mm,最大跨导为800mS/mm。
- 卜夏正武一宾商耀辉牛晨亮王健
- 关键词：GAASPHEMT电子迁移率INGAAS
- 太赫兹量子级联激光器有源区有限元模拟被引量：2
- 2013年
- 采用有限元分析法解决了太赫兹量子级联激光器(THz QCL)有源区模拟问题。由于InP基差频THz QCL有源区为千层纳米结构,无法拆分实验探索,因此模拟分析显得尤为必要。首先列出有源区量子结构的薛定谔方程,而后采用Galerkin有限元法改写薛定谔方程,再根据连续性和边界条件,得到本征值矩阵方程,最后采用Matlab写出运算程序求解本征值矩阵方程,求出波函数。针对不同有源区量子结构,设定材料、组分、厚度和周期数及外加偏压等参数,即可得到波函数模方、能级、频率和波长等模拟结果。选取InP基差频THz QCL结构进行验证,结果表明此模型切实可行,其拓展应用也可以解决GaAs THz QCL模拟问题。
- 王建峰武一宾王健商耀辉牛晨亮师巨亮赵辉王中旭韩颖
- 关键词：MATLAB薛定谔方程差频
