王晓强
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 试验设计方法在超声楔形焊工艺优化中的应用被引量：1
- 2013年
- 采用实验设计方法对超声楔形焊引线键合工艺进行实验设计,研究了超声功率、键合压力和键合时间对键合强度的影响,得到了拟合程度好的统计模型和优化后的超声楔形焊工艺参数。在最优的工艺条件下,键合质量得到了提高。
- 程顺昌王晓强吕玉冰谷顺虎
- 关键词：统计模型
- CCD抗晕结构的设计和制作被引量：3
- 2011年
- 强光照射时,CCD图像传感器摄取的图像中会出现光晕(blooming)和弥散(smear)现象,严重影响成像质量。文章介绍了一种能够抑制这些光晕现象的抗晕CCD,详细阐述了其抗晕结构的设计和制作方法,采用该方法制作的CCD能够达到500倍的抗晕能力。
- 钟四成程顺昌王晓强
- 关键词：光晕
- CCD纵向溢出漏结构工艺仿真与实现被引量：3
- 2013年
- 传统的电荷耦合器件(CCD)处于强光环境时,会产生光晕现象;纵向溢出漏结构的出现,满足了CCD在强光环境下的使用要求。通过对CCD的纵向溢出漏结构及其电势进行分析,发现抗晕势垒是纵向溢出漏结构能否实现抗晕功能的关键,决定了抗晕能力的强弱,而抗晕势垒受p阱注入剂量、埋沟注入剂量的影响。通过工艺仿真,确定了纵向溢出漏结构的p阱、埋沟工艺条件,根据仿真结果制造的纵向抗晕CCD抗晕能力大于100倍。
- 雷仁方王晓强杨洪吕玉冰郑渝李利民
- 关键词：CCD仿真
- 不同源漏掺杂方式对CCD放大器的影响
- 2013年
- 通过对CCD片上放大器不同源漏掺杂条件、方块电阻、接触电阻、有效沟道长度的分析研究,确定了源漏工艺条件为磷离子注入能量100keV、剂量5×1015 cm-2。分析了扩散、离子注入源漏掺杂对放大器直流输出的影响,结果表明,当宽长比为4/1时,注入源漏掺杂制作的放大器直流输出与仿真值差异为0.28V,优于扩散工艺。
- 王晓强林海青许青韩恒利
- 关键词：放大器离子注入沟道长度直流输出
