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马德营

作品数：7 被引量：58H指数：4
供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 2篇功率
  • 2篇ZN扩散
  • 1篇大直径
  • 1篇单晶
  • 1篇低阈值
  • 1篇低阈值电流
  • 1篇多量子阱
  • 1篇平整度
  • 1篇腔面
  • 1篇翘曲度
  • 1篇热阻
  • 1篇阈值电流
  • 1篇外延片
  • 1篇金刚石
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇击穿电压
  • 1篇机械抛光
  • 1篇二极管

机构

  • 7篇山东大学
  • 5篇山东华光光电...

作者

  • 7篇徐现刚
  • 7篇马德营
  • 5篇夏伟
  • 5篇李树强
  • 4篇蒋民华
  • 3篇陈秀芳
  • 2篇王继扬
  • 2篇王翎
  • 2篇胡小波
  • 2篇李娟
  • 1篇李现祥
  • 1篇姜守振
  • 1篇王丽
  • 1篇董捷
  • 1篇李佩旭

传媒

  • 2篇光电子．激光
  • 2篇功能材料
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2005
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
金刚石线锯切割大直径SiC单晶被引量：23
2005年
采用金刚石线切割大直径的SiC单晶,研究了金刚石线锯的切割机理和切割参数,给出切割SiC单晶的实验结果。研究了金刚石线的寿命及各切割参数对线径减少量、翘曲度、表面粗糙度的影响。用光学显微镜观察了磨损的金刚石线和切割表面。
陈秀芳李娟马德营胡小波徐现刚王继扬蒋民华
关键词：SIC翘曲度
PIN结构发光二极管反向击穿特性分析被引量：3
2006年
通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。通过利用LP-MOCVD技术生长了不同厚度多量子阱(MQW)有源区AlGaInP LED,测量了器件的反向击穿特征,测试结果与理论分析非常吻合。同时获得了AlGaInPMQW结构的临界反向击穿电场强度数值。这些结果可以作为具有PIN结构的LED性能优化的重要参考。
李树强夏伟马德营张新徐现刚蒋民华
关键词：发光二极管(LED)反向击穿电压PIN结构
Mg掺杂AlInP 650 nmLD外延片的Zn扩散研究
2006年
利用石英闭管法,对Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片进行Zn扩散,分析了扩散温度和时间2个参数对Zn扩散的影响。采用光致发光(PL)谱和电化学蒸涂(ECV)方法研究了Zn扩散产生的影响。PL谱结果表明,Zn扩散引起了AlGaInP/GaInP多量子阱(MQW)有源层的组分无序,使PL谱的峰值蓝移,最大蓝移为54 nm,约175 meV。ECV测量结果显示,Zn已经扩散到MQW有源区,MQW区域的p型载流子浓度为4.4×1017cm-3。
李树强马德营夏伟陈秀芳张新任忠祥徐现刚蒋民华
关键词：ZN扩散
Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7W)660nm AlGaInP宽面半导体激光器被引量：4
2009年
本文采用低压金属有机化学气相沉积系统(LP-MOCVD)生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作出腔长1000μm、条宽150μm的宽面半导体激光器。采用选择性Zn扩散在管芯两端面区制作出透明窗口结构来提高器件的腔面光灾变阈值(COD)。透明窗口结构激光器最大连续输出功率为3.7 W,是正常结构的激光器COD饱和功率的4.4倍。激光器的特征温度T0为68 K,热阻为4.6 K/W。在热沉温度为20℃时进行了500 mW恒功率老化,老化时间为1000 h。
马德营李佩旭夏伟李树强汤庆敏张新任忠祥徐现刚
关键词：ZN扩散热阻ALGAINP半导体激光器
高透腔面大功率650nm红光半导体激光器被引量：7
2007年
利用石英闭管法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长的应变量子阱(MQW)650 nm AlGaInP/GaInP材料进行选择区域扩Zn,使扩Zn区域的光致发光(PL)谱的峰值蓝移达175 meV,形成对650 nm波长激光器的高透腔面,有益于减少激光器腔面光吸收,增加了激光器退化的光学灾变损伤(COD)阈值.后工艺制作出条宽100μm,腔长1 mm的增益导引激光器,实现了红光半导体激光器的大功率输出.激光器阈值电流为382 mA,在2.28 A工作电流时达到光学灾变损伤阈值,最大连续输出光功率1.55 W,外微分量子效率达到0.82 W/A.
夏伟马德营王翎李树强汤庆敏张新刘琦任忠祥徐现刚
关键词：激光器大功率NM
MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP 650nm激光器
2006年
通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器。该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm A lGaInP红光激光器的最低阈值电流。在25mA工作电流下,基横模连续输出功率达到18mW。
夏伟王翎李树强张新马德营任忠祥徐现刚
关键词：MOCVD低阈值电流
SiC单晶片的超精密加工被引量：27
2006年
半导体晶片的加工质量和精度,直接影响到器件的性能。本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法,并详细论述了化学机械抛光的原理。加工后的SiC单晶片,平整度为±3μm,粗糙度<5nm,且应力较小。
李娟陈秀芳马德营姜守振李现祥王丽董捷胡小波徐现刚王继扬蒋民华
关键词：化学机械抛光粗糙度平整度
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