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李毅强

作品数:6 被引量:13H指数:3
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 4篇图像
  • 4篇图像传感器
  • 4篇感器
  • 4篇CMOS图像
  • 4篇CMOS图像...
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 1篇单片
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇动态范围
  • 1篇读出电路
  • 1篇行扫描
  • 1篇振荡器
  • 1篇双采样
  • 1篇欠压
  • 1篇欠压保护
  • 1篇转换芯片
  • 1篇像素
  • 1篇芯片

机构

  • 6篇重庆光电技术...
  • 1篇重庆邮电大学

作者

  • 6篇李毅强
  • 4篇祝晓笑
  • 3篇刘昌举
  • 3篇吴治军
  • 2篇翟江皞
  • 1篇李明
  • 1篇任思伟
  • 1篇张靖

传媒

  • 6篇半导体光电

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2014
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
640×512焦平面读出电路设计被引量:1
2014年
介绍了640×512电容反馈跨阻放大器(CTIA)型焦平面读出电路的设计,包含模拟电路与数字模块设计。分析了CTIA采样单元的设计,折中优化了采样单元的面积、噪声、增益等因素,同时优化了采样单元控制电路,最大限度地提高了对采样单元阵列的驱动能力;数字控制部分着重分析了对行选、列选、翻转读出、随机开窗、隔行扫描、多路选择输出等功能的实现方式。设计基于0.5μm DPTM工艺进行仿真验证,采样单元面积为25μm×25μm,工作频率为5MHz,芯片面积为18.1mm×17.4mm,输出摆幅大于2.5V,动态范围大于70dB。
李毅强刘昌举祝晓笑
关键词:焦平面读出电路隔行扫描
应用于CMOS图像传感器的带保护LDO电路的设计被引量:3
2018年
随着CMOS图像传感器(CIS)的广泛应用,低功耗、高集成化、高稳定性成为其发展趋势,低压差线性稳压器(LDO)因体积小、功耗低、噪声低及电源抑制比高等优点而满足芯片供电需求。为了避免传统电源在芯片异常时仍持续工作致使功耗增加或芯片烧毁,设计了一种可应用于CMOS图像传感器的LDO电路,并加入了LDO的保护电路结构。该保护电路具有欠压保护与过流保护的功能,并能够通过数字电路对LDO进行使能控制。基于0.11μm CMOS工艺平台对LDO及其保护电路进行仿真与分析,完成了该工艺下电路版图的绘制和验证。
翟江皞李明祝晓笑刘昌举李毅强
关键词:CISLDO保护电路欠压保护过流保护
全局快门CMOS图像传感器研究进展被引量:4
2016年
全局快门CMOS图像传感器广泛应用于高速运动物体的成像,包括机器视觉、工业测量、航空航天,以及军事应用等领域。介绍了全局快门CMOS图像传感器的主要类型,具体分析了灵敏度、寄生光灵敏度、读出噪声、动态范围和帧频等性能参数的研究进展。最后对国内外有代表性的全局快门CMOS图像传感器产品进行了介绍。
刘昌举张靖李毅强祝晓笑任思伟
关键词:CMOS图像传感器动态范围
一种6T像素全局曝光CMOS图像传感器被引量:2
2014年
提出了一种基于6T像素结构的全局曝光CMOS图像传感器。通过采用PPD结构的6T像素、高复位电平和低阈值器件,提高了动态范围,并优化设计了像素单元的版图,使之获得较高的填充系数;模拟读出电路部分,通过采用双采样、增益放大和减小列级固定模式噪声(FPN)处理,以及对列选控制电路进行优化,减小了对全局PGA的运放设计要求。芯片的工作频率为20MHz,动态范围为66dB,实现了全局曝光方式CMOS图像传感器的设计。
吴治军李毅强阳怡伟
关键词:CMOS图像传感器FPNPGA
一种应用于CMOS图像传感器数字双采样ADC的PGA电路被引量:3
2020年
提出了一种应用于CMOS图像传感器数字双采样模数转换器(ADC)的可编程增益放大器(PGA)电路。通过增加失调采样电容,采集PGA运放和电容失配引入的失调电压,在PGA复位阶段和放大阶段进行相关双采样和放大处理,通过数字双采样ADC将两个阶段存储电压量化,并在数字域做差,降低了PGA电路引入的固定模式噪声。采用0.18μm CMOS图像传感器专用工艺进行仿真,结果表明:在输入失调电压-30~30mV变化区间,提出的PGA的输出失调电压可以降低到1mV以下,相比传统PGA输出失调电压随输入失调电压单倍线性关系而言大大降低了列固定模式噪声。
吴治军李毅强彭松李梦萄
关键词:CMOS图像传感器
一种单片集成式光-频率转换芯片
2019年
介绍了一种单片集成式光-频率转换芯片,给出了流片芯片的测试结果。芯片内部光电二极管产生随光强变化的光生电流,积分电容将其转换为电压信号,当电压达到比较器阈值时,比较器翻转,振荡电路振荡,光强被转变为频率信号。采用0.6μm 2P3M工艺进行了流片,实现了芯片在三端封装条件下的正常工作,芯片尺寸为1.8mm×1.7mm,光敏区面积为850μm×850μm,非线性小于1%,暗电流小于1Hz,输出信号占空比为50%,芯片最高输出频率为1MHz。
李毅强吴治军翟江皞祝晓笑王世腾
关键词:光电二极管CTIA振荡器
共1页<1>
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